次世代不揮発性メモリ・高機能電子デバイス向け装置の開発
FY2016に初出。34回の記載のうち18回が「前進」で、最初の「前進」はFY2017-Q1。直近の記載はFY2026。
直近の記載が「前進」なのは、ほかに6社。
- FY2026前進有価証券報告書
「半導体製造装置においては、最先端ロジック分野におけるメタルハードマスク工程の実績をもとに他工程参入を実現するための装置及び成膜プロセス性能向上の開発を行っております。また、メモリ分野においても微細化、高積層化の進むDRAM及び３次元NANDフラッシュメモリでの他工程参入を目指した装置及び成膜プロセス開発も進めており、その成果として新モデル「ENTRON-EXX」の開発につながりました。」
最先端ロジックのメタルハードマスク工程からの他工程参入、DRAM・3次元NAND向け開発が新モデルENTRON-EXXにつながったと説明された。 - FY2026-H1前進有価証券報告書
「半導体及び電子部品製造装置では、ロジック、メモリ、先端パッケージング分野が好調に推移したため、受注高は前年同期を上回りましたが、日本および中国のパワーデバイス投資の反動減により、売上高は前年同期を下回りました。」
半導体・電子部品製造装置について、ロジック、メモリ、先端パッケージング分野の受注が前年同期を上回る一方、パワーデバイス投資の反動減が売上高に影響した。 - FY2025前進有価証券報告書
「新モデル「ENTRON-EXX」の受注受付を開始しました。本装置は、高度化・複雑化する半導体製造工程のニーズに対応するためデータ収集・解析能力が強化されており、加えて拡張性に優れた装置設計を採用して工場スペースの効率を最大化することが可能であります。」
半導体製造装置で新モデルENTRON-EXXの受注受付を開始し、データ収集・解析能力と拡張性を強化した製品の投入を進めた。 - FY2025-H1パワーデバイス投資の反動減で受注減・半導体寄与で売上増有価証券報告書
「半導体及び電子部品製造装置では、日本・中国のパワーデバイス投資の反動減により、受注高は前年同期を下回りましたが、半導体の寄与等により売上高は前年同期を上回りました。」
半導体・電子部品製造装置は、パワーデバイス投資の反動減を受けて受注が減少した一方、半導体関連が売上に寄与した。 - FY2024前進有価証券報告書
「半導体製造装置においては、最先端ロジック分野におけるメタルハードマスク工程の実績をもとに他工程参入を実現するための装置及び成膜プロセス性能向上の開発を行っております。また、メモリ分野においても微細化、高積層化の進むDRAM及び３次元NANDフラッシュメモリでの他工程参入を目指した装置及び成膜プロセス開発も進めております。」
最先端ロジックのメタルハードマスク工程から他工程への参入を目指す開発に加え、DRAM・3次元NAND向けにも他工程参入を目指す装置・成膜プロセス開発が示された。 - FY2024-Q3前進有価証券報告書
「半導体及び電子部品製造装置では、先端ロジック・メモリは調整局面から下期にかけて投資回復、日本・中国のパワーデバイス投資活発化などにより、受注高、売上高ともに前年同期を上回りました。」
先端ロジック・メモリ投資の回復と日本・中国のパワーデバイス投資活発化を背景に、対象装置の受注高・売上高がともに前年同期を上回った。 - FY2024-Q2メモリ投資抑制で受注減・パワーデバイスで売上増有価証券報告書
「半導体及び電子部品製造装置は、メモリ等半導体投資の抑制が継続したこともあり、受注高は前年同期を下回りましたが、日本・中国でパワーデバイス投資が活発化し、売上高は前年同期を上回りました。」
メモリ等半導体投資の抑制継続により受注高は前年同期を下回った一方、日本・中国のパワーデバイス投資活発化により売上高は前年同期を上回った。 - FY2024-Q1メモリ投資抑制継続もパワーデバイス投資が活発化有価証券報告書
「半導体及び電子部品製造装置は、メモリ等半導体投資の抑制が継続するも、日本・中国でパワーデバイス投資が活発化し、受注高は前年同期並み、売上高は前年同期を上回りました。」
メモリ等半導体投資の抑制が続く一方、日本・中国のパワーデバイス投資が活発化し、半導体・電子部品製造装置の売上高は前年同期を上回った。 - FY2023-Q3再掲有価証券報告書
「半導体及び電子部品製造装置は、ロジック向け投資の寄与、パワーデバイス・オプトデバイス等の投資活発化、中国のエレクトロニクス国産化に向けた投資活発化などにより、受注高、売上高ともに前年同期を上回りました。」
ロジック向け、パワー・オプトデバイス、中国のエレクトロニクス国産化向けの投資が、受注高・売上高の前年同期超過に引き続き寄与した。 - FY2023-Q2前進有価証券報告書
「半導体及び電子部品製造装置は、ロジック向け投資の寄与、パワーデバイス・オプトデバイス等の投資活発化、中国のエレクトロニクス国産化に向けた投資活発化などにより、受注高、売上高ともに前年同期を上回りました。」
ロジック向け投資、パワー・オプトデバイス投資、中国のエレクトロニクス国産化投資を背景に、対象装置の受注高・売上高が前年同期を上回った。 - FY2022前進有価証券報告書
「具体的には、5Gデバイス向けのサブナノメートル平坦化用イオンミリング装置「IM-2000」、光学膜用スパッタリング装置「ULDiSシリーズ」3D車載カバーガラス対応反射防止膜成膜装置を開発、リリースいたしました。また、電子部品製造向け枚葉式複合モジュール型成膜加工装置「uGmniシリーズ」の新エッチングモジュール、スパッタリング法によるGaNエピタキシャル成長モジュール「SEGul」等を開発、リリースいたしました。」
5G、光学膜、車載カバーガラス、電子部品、GaN向けの具体的な装置・モジュールを開発し、リリースした。 - FY2022-Q3再掲有価証券報告書
「半導体製造装置はメモリ投資継続やロジック向け投資の活発化、電子部品製造装置はパワーデバイス・オプトデバイス・通信デバイス・センサー等の投資活発化、中国のエレクトロニクス国産化に向けた商談活発化などにより、受注高、売上高ともに前年同期を上回りました。」
メモリ・ロジック向け装置、各種電子デバイス向け装置、中国の国産化関連商談が寄与し、受注高・売上高の前年同期超過が続いた。 - FY2022-Q2再掲有価証券報告書
「半導体製造装置はメモリ投資継続やロジック向け投資の活発化、電子部品製造装置はパワーデバイス・オプトデバイス・通信デバイス・センサー等の投資活発化、中国のエレクトロニクス国産化に向けた商談活発化などにより、受注高、売上高ともに前年同期を上回りました。」
メモリ・ロジック向け装置に加え、パワー、オプト、通信、センサー向け装置および中国国産化関連商談が寄与し、受注高・売上高の前年同期超過が続いた。 - FY2022-Q1前進有価証券報告書
「半導体製造装置はメモリ投資継続やロジック向け投資の活発化、電子部品製造装置はパワーデバイス、オプトデバイス、通信デバイス等の投資活発化、中国のエレクトロニクス国産化に向けた商談活発化などにより、受注高、売上高ともに前年同期を上回りました。」
メモリ・ロジック向け製造装置に加え、パワー・オプト・通信デバイス向け装置、中国のエレクトロニクス国産化関連商談が寄与し、受注高・売上高がともに前年同期を上回った。 - FY2021前進有価証券報告書
「また、大きく市場拡大が期待される最先端ロジック分野において装置・プロセス開発を行うとともに、不揮発性メモリ分野において市場要求に対応した装置・プロセス・材料を開発し、市場に投入しております。」
従来のメモリ向け装置開発に加え、最先端ロジック分野の装置・プロセス開発、不揮発性メモリ向け装置・プロセス・材料の開発・市場投入が記載された。 - FY2021-Q3再掲有価証券報告書
「半導体関連はメモリ投資の再開、電子部品関連はパワーデバイスやオプトデバイス等の投資活発化、中国のエレクトロニクス国産化に向けた商談活発化などにより、受注高、売上高ともに前年同期を上回りました。」
メモリ投資の再開、パワー・オプトデバイス投資、中国のエレクトロニクス国産化商談を背景に、対象装置の受注高・売上高が前年同期を上回った。 - FY2021-Q2前進有価証券報告書
「半導体関連は、メモリ向け・ロジック向けともに堅調に推移、電子部品関連はパワーデバイスやオプトデバイス等の投資が活発化し、中国のエレクトロニクス国産化に向けた商談も活発化するなど、受注高、売上高ともに前年同期を上回りました。」
前四半期の端境期による受注・売上減から、メモリ・ロジック向けがともに堅調となり、半導体・電子部品関連の受注高・売上高が前年同期を上回った。 - FY2021-Q1メモリ・ロジック投資の端境期で受注・売上減有価証券報告書
「半導体関連は、メモリ向け・ロジック向けともに当期の受注高は前年同期並みを見込むものの、当四半期は一時的な端境期となり、受注高、売上高ともに前年同期を下回りました。電子部品関連は中国での投資の動きが活発化しておりますが、移動制限の影響もあり、受注高、売上高ともに前年同期を下回りました。」
メモリ・ロジック向け半導体関連は一時的な端境期により受注高・売上高が前年同期を下回り、電子部品関連も移動制限の影響で減少した。 - FY2020メモリ投資調整下でロジックが受注寄与有価証券報告書
「半導体関連は、DRAMやNANDフラッシュメモリ向けスパッタリング装置・自然酸化膜除去装置などのメモリ関連投資が調整局面にありましたが、2019年年末頃よりDRAMを中心に回復基調となりました。また、ロジック向けスパッタリング装置なども寄与し、受注高は前年同期を上回りました。電子部品関連は、通信デバイスやパワーデバイス向け製造装置が堅調に推移しました。」
メモリ関連投資の調整が続く一方、DRAM回復とロジック向け装置が受注に寄与し、通信デバイス・パワーデバイス向け装置も堅調だった。 - FY2020-Q2再掲有価証券報告書
「半導体関連は、NANDフラッシュメモリやDRAM、新型不揮発性メモリ向けスパッタリング装置・自然酸化膜除去装置などのメモリ関連投資が調整局面にありましたが、ロジック向けスパッタリング装置などが寄与し、受注高は前年同期を上回りました。電子部品関連は、通信デバイスやパワーデバイス向け製造装置が堅調に推移しました。」
メモリ関連投資の調整が続く一方、ロジック向け装置が受注に寄与し、通信デバイス・パワーデバイス向け装置は堅調に推移した。 - FY2020-Q1メモリ関連売上低調もロジック受注増・電子部品堅調有価証券報告書
「半導体関連は、NANDフラッシュメモリやDRAM、次世代不揮発性メモリ向けスパッタリング装置・自然酸化膜除去装置などが足元のメモリ関連投資の減速を受け、売上高は前年同期に比べ低調な結果となりましたが、ロジック向けスパッタリング装置などが寄与し、受注高は前年同期を上回りました。電子部品関連は、通信デバイスやパワー半導体向け製造装置が堅調に推移しました。」
メモリ関連投資の減速によりメモリ向け製品の売上高は低調となったが、ロジック向け装置が受注に寄与し、通信デバイス・パワー半導体向けは堅調だった。 - FY2019メモリ投資減速で受注・売上低調、電子部品堅調有価証券報告書
「半導体関連は、NANDフラッシュメモリやDRAM、次世代不揮発性メモリ向けスパッタリング装置や自然酸化膜除去装置などが、足元のメモリ関連投資の減速を受け、受注高、売上高ともに前年同期を下回りました。電子部品関連は、モバイル機器向け高機能デバイスやパワー半導体向け製造装置が堅調に推移しました。」
メモリ・次世代不揮発性メモリ向け装置は投資減速により受注高・売上高が低下した一方、高機能デバイス・パワー半導体向け装置は堅調に推移した。 - FY2019-Q3メモリ投資減速で受注・売上低調、電子部品堅調有価証券報告書
「半導体関連は、NANDフラッシュメモリやDRAM、次世代不揮発性メモリ向けスパッタリング装置・自然酸化膜除去装置などが足元のメモリ関連投資の減速を受け、受注、売上ともに前年同期に比べ低調な結果となりました。電子部品関連は、モバイル機器向け高機能デバイスやパワー半導体向け製造装置が堅調に推移しました。」
メモリ・次世代不揮発性メモリ向け装置は、メモリ関連投資の減速により受注・売上が低調となった。電子部品関連の高機能デバイス・パワー半導体向け装置は堅調に推移した。 - FY2019-Q2メモリ投資減速で受注減・売上横ばい有価証券報告書
「半導体関連は、NANDフラッシュメモリやDRAM、次世代不揮発性メモリ向けスパッタリング装置や自然酸化膜除去装置、ロジック向けスパッタリング装置などが売上に寄与、電子部品関連は、モバイル機器向け高機能デバイス製造装置やパワー半導体向け製造装置なども増加し、前年同期並みの売上を計上しました。一方受注高は、足元のメモリ関連投資の減速を受け前年同期を下回りました。」
メモリ、ロジック、電子部品、パワー半導体向け製品は売上に寄与したが、メモリ関連投資の減速により受注高は前年同期を下回った。 - FY2019-Q1前進有価証券報告書
「半導体関連は、NANDフラッシュメモリやDRAM、次世代不揮発性メモリ向けスパッタリング装置や自然酸化膜除去装置に加え、ロジック向けスパッタリング装置の受注寄与などにより増加、電子部品関連は、モバイル機器向け高機能デバイス製造装置やパワー半導体向け製造装置などが増加し、前年同期を上回る受注高、売上高となりました。」
NAND、DRAM、次世代不揮発性メモリ向け装置に加え、ロジック向けスパッタリング装置、パワー半導体向け製造装置の受注寄与・増加が記載された。 - FY2018前進有価証券報告書
「DRAMおよび３次元NANDフラッシュメモリ工程用装置の性能向上を進めつつ、次世代不揮発性メモリやロジック向けの製造装置において市場要求に対応したモジュールを開発し、市場に投入しております。」
DRAM・3次元NAND向け装置の性能向上に加え、次世代不揮発性メモリ・ロジック向けモジュールの開発・市場投入が記載された。 - FY2018-Q3前進有価証券報告書
「半導体関連は、メモリ向け投資の拡大に伴い、NANDフラッシュメモリや次世代不揮発性メモリ向けのスパッタリング装置や自然酸化膜除去装置が増加、電子部品関連は、モバイル機器向け高機能デバイス製造装置などが堅調に推移し、前年同期を大幅に上回る受注高、売上高となりました。」
NANDフラッシュメモリ・次世代不揮発性メモリ向け装置およびモバイル機器向け高機能デバイス製造装置で、受注高・売上高が前年同期を大幅に上回った。 - FY2018-Q2前進有価証券報告書
「半導体関連は、メモリ向け投資の拡大に伴い、NANDフラッシュメモリや次世代不揮発性メモリ向けのスパッタリング装置や自然酸化膜除去装置が増加、電子部品関連は、モバイル機器向け高機能デバイス製造装置などが堅調に推移し、前年同期を大幅に上回る受注高、売上高となりました。」
NANDフラッシュメモリ・次世代不揮発性メモリ向け装置および高機能デバイス製造装置で、受注高・売上高が前年同期を大幅に上回った。 - FY2018-Q1前進有価証券報告書
「半導体関連は、メモリ向け投資の拡大に伴い、スパッタリング装置や自然酸化膜除去装置が増加、電子部品関連は、モバイル機器向け高機能デバイス製造装置などが堅調に推移し前年同期を上回る受注高、売上高となりました。」
メモリ向けスパッタリング装置・自然酸化膜除去装置およびモバイル機器向け高機能デバイス製造装置で、受注高・売上高の前年同期超過が継続した。 - FY2017前進有価証券報告書
「高密度実装分野では、処理面積を拡大し、生産性を大幅に改善するPLP（Panel Level Packaging）向け「エッチング装置NA-1500」を開発、販売を開始いたしました。また、パワーデバイス向けには、IGBT向け低加速・高濃度対応イオン注入装置「SOPHI-30」と高加速対応イオン注入装置「SOPHI-400」の２機種を開発、販売を開始し、既存の機種と合わせてパワーデバイス向けイオン注入装置のラインナップを大幅に充実させました。」
PLP向けエッチング装置とパワーデバイス向け2機種の開発・販売開始により、製品ラインアップが拡充した。 - FY2017-Q3再掲有価証券報告書
「半導体関連は、メモリ向け投資の拡大に伴い、スパッタリング装置や自然酸化膜除去装置が増加、電子部品関連は、モバイル機器向け高機能デバイス製造装置などが堅調に推移し前年同期を上回る受注高、売上高となりました。」
メモリ向けスパッタリング装置・自然酸化膜除去装置および高機能デバイス製造装置について、受注高・売上高の前年同期超過が継続して記載された。 - FY2017-Q2前進有価証券報告書
「半導体関連は、メモリ向け投資の拡大に伴い、スパッタリング装置や自然酸化膜除去装置が増加、電子部品関連は、モバイル機器向け高機能デバイス製造装置などが堅調に推移し前年同期を上回る受注高、売上高となりました。」
メモリ向けスパッタリング装置・自然酸化膜除去装置、高機能デバイス製造装置について、受注高と売上高が前年同期を上回った。 - FY2017-Q1前進有価証券報告書
「半導体関連は、メモリ用スパッタリング装置や自然酸化膜除去装置、電子部品関連は、モバイル機器向け高機能デバイス製造装置を中心に前年同期を上回る受注高となりましたが、売上高は、前年同期を下回りました。」
メモリ関連装置および高機能電子デバイス向け装置について、受注高の前年同期超過が記載された。ただし売上高は前年同期を下回った。 - FY2016初出有価証券報告書
「３次元NANDフラッシュメモリに続く次世代不揮発性メモリ用製造装置では、成膜性能の向上や新プロセスを実現させるモジュールを開発し、市場に投入しております。」
高密度実装、MEMS、パワー半導体向け装置も市場投入。