ルネサスエレクトロニクス（6723）・施策前進
Transphorm社買収によるGaNパワー半導体の拡充
FY2023に初出。4回の記載のうち2回が「前進」で、最初の「前進」はFY2025。直近の記載は2026-04-24。
4記載
3年にわたる
1うち適時開示
動きの推移
同じテーマの他社
成長分野参入に向けたM&A・資本業務提携16社が書いているテーマ・逆風0社・追い風17社
テーマ全体が最も大きく悪化側へ動いたのは2022年。7社中1社が悪化側に。
直近の記載が「前進」なのは、ほかに12社。
尾根＝前進を書いた年、谷＝悪化を書いた年。奥ほど前向きな会社。 ドラッグで回転、スクロールで拡大、右ドラッグで移動。スマホは2本指で回転・拡大（1本指はページのスクロール）。
比べている16社のうち14社を表示しています。上の文は16社すべてから計算しています。全記録提出書類・適時開示・報道、新しい順
- 2026-04-24前進決算説明資料
「太陽光発電インバータ、AIデータセンターなどの用途向けに、ルネサス初の650V耐圧GaN双方向スイッチを発売」
GaN製品の展開が、太陽光発電インバータやAIデータセンター向けの650V耐圧双方向スイッチの発売に進んだ。 - FY2025前進有価証券報告書
「当社グループは、本ソリューションの中核となる高耐圧650ボルトを実現するGaNパワー半導体を発売しました。同製品は、新プロセス「第４世代プラス（Gen IV Plus）」と、2024年に買収したTransphorm社のSuperGaN技術を採用することにより、従来世代よりダイサイズと電気抵抗を低減し、高い操作性と信頼性を実現しております。」
Transphorm社買収によるGaN技術の獲得が、Gen IV PlusとSuperGaN技術を採用した650V GaNパワー半導体の発売およびAIインフラ・EV充電等向け電源ソリューションの提供段階へ進展した。 - FY2024-H1達成有価証券報告書
「当社は、完全子会社を通じて2024年６月20日に米国カリフォルニア州ゴレタに本社を置く半導体会社であるTransphorm社の株式すべての取得を完了し、Transphorm社を完全子会社化しました。」
Transphorm社の全株式取得を2024年6月20日に完了し、完全子会社化した。GaN技術を獲得し、ワイドバンドギャップ製品ポートフォリオとEV、コンピューティング、エネルギー、産業、民生向けパワーソリューションの拡充を進める段階となった。 - FY2023初出有価証券報告書
「本件買収により、当社はパワー半導体に用いられる重要な次世代素材であるGaNに対して、Transphorm社のGaN技術を自社技術として獲得し、ワイドバンドギャップのポートフォリオを拡充します。」
2024年1月11日にTransphorm社との合併契約を締結した。約3億39百万米ドルで全株式を取得し、2024年下半期中の完了を予定している。車載用規格に対応したGaN技術を活用し、EV向けX-in-1パワートレイン、コンピューティング、エネルギー、産業、民生向けのパワーソリューションを強化する。