ルネサス初の低耐圧GaN FETを発売し、AIデータセンタやロボティクス向けGaN製品を拡充

ルネサス エレクトロニクスは、ルネサス初となる100V耐圧のEモードGaNディスクリートパワートランジスタをラインアップに追加した。新製品群はAIデータセンタ、ヒューマノイドロボット、FA、産業用モータ駆動など高効率かつ高電力密度が求められる用途をターゲットとしている。

GaN FETはハードスイッチングとソフトスイッチングの双方で業界トップクラスのFOMを実現し、同等デバイスと比較してハードスイッチングFOMを最大35％、ソフトスイッチングFOMを最大63％低減する。シリコンMOSFETと互換性のあるフットプリントを採用しており、既存設計へ容易に移行できる点も強調されている。

新製品は低耐圧EモードGaN技術を採用し、総ゲート電荷量（Qg）と出力電荷量（Qoss）を低く抑えることで低損失の超高速スイッチングを実現する。逆回復電荷量（Qrr）がゼロのため逆回復損失を削減し、スイッチング時の電源効率を向上させる。

また、高周波動作による基板・磁気部品の小型化、下面冷却・両面冷却の構成、幅広いRDS(on)の選択肢により電力密度の向上と設計の柔軟性を提供する。これにより、アプリケーション要件に応じてスイッチング損失を40〜70％低減し、システム全体の損失を抑制できる見込みが示されている。