富士電機（6504）・施策前進
縦型GaNパワーデバイスの開発
FY2025-H1に初出。2回の記載のうち1回が「前進」で、最初の「前進」はFY2025。直近の記載はFY2025。
2記載
2年にわたる
0うち適時開示
動きの推移
同じテーマの他社
縦型GaNパワーデバイスの高耐圧化技術開発2社が書いているテーマ・逆風0社・追い風2社
直近の記載が「前進」なのは、ほかに1社。
尾根＝前進を書いた年、谷＝悪化を書いた年。奥ほど前向きな会社。 ドラッグで回転、スクロールで拡大、右ドラッグで移動。スマホは2本指で回転・拡大（1本指はページのスクロール）。
全記録提出書類・適時開示・報道、新しい順
- FY2025前進有価証券報告書
「量産性に優れる「イオン注入プロセス」を用いたデバイスとして縦型GaNでは世界初の耐圧1,400V、電流10Aの大面積素子を実現しました。」
縦型GaNパワーデバイスで、イオン注入プロセスを用いた世界初の耐圧1,400V・電流10Aの大面積素子を実現した。 - FY2025-H1初出有価証券報告書
「SiCよりさらに低損失な次世代半導体材料として期待されている窒化ガリウム（GaN）を用いた、縦型GaNパワーデバイスを開発しています。現在、デバイスの構造形成に必要なイオン注入技術の実用化やパワーデバイスの性能に大きく影響するMOS界面（金属-酸化物-半導体界面）における欠陥抑制の研究を進めています。」
SiCより低損失な材料としてGaNに対象を広げ、縦型GaNパワーデバイスのイオン注入技術とMOS界面欠陥抑制を研究している。