SiCパワー半導体と車載新製品の開発加速
FY2016に初出。40回の記載のうち36回が「前進」で、最初の「前進」はFY2017-Q1。直近の記載は2026-07-30。
直近の記載が「再掲」なのは、ほかに0社。
- 2026-07-30再掲決算
「SiCパワー半導体については、将来の市場拡大を見据えて設備投資計画を推進しました。」
SiCパワー半導体の将来需要を見据えた設備投資計画を継続した。 - FY2026前進有価証券報告書
「最新世代の第８世代IGBTチップを搭載したパワーモジュールの開発を進めており、2026年度から量産を開始する予定です。第７世代IGBTチップを搭載した同一定格のモジュールと比較して15％以上損失を低減し、業界トップレベルの低損失を実現しました。これにより、ドライブ装置などパワエレ機器の電力密度を10％以上向上することが可能となります。」
第8世代IGBTについて、2026年度量産開始予定を示し、第7世代比15％以上の損失低減と10％以上の電力密度向上を実現した。 - FY2026-H1前進有価証券報告書
「再エネ発電システム向けに、絶縁耐圧を向上した2,300V／1,200Aの大容量モジュール（HPnC:High Power next Coreパッケージ）を開発し量産を開始しました。」「また、最新世代となる第８世代IGBTモジュールのサンプル展開を開始しました。セル構造の最適化などにより第７世代IGBTに比べて10％以上の低損失化を実現し」「2027年以降の電動車モデル向けに、第３世代トレンチゲートSiC-MOSFETチップを搭載したSiCパワーモジュールの開発を進めています。…第７世代IGBTモジュールと比較して電力密度を約２倍に向上しました。さらに、2030年度以降の製品化を想定し、更なる損失低減を目指した第４世代SiC-MOSFETチップやモジュールの開発を進めています。」
パワー半導体で2,300V／1,200A品の量産開始、第8世代IGBTのサンプル展開、2027年以降のxEV向けSiCモジュール開発へ進んだ。第7世代IGBT比で電力密度約2倍を目指す製品開発や2030年度以降を想定した第4世代開発も示した。 - FY2025前進有価証券報告書
「また、鉄道や再エネ発電システム向けに、1,200V系列のAll-SiCモジュール（M295パッケージ）を開発し、量産を開始しました。第２世代SiCトレンチゲート型MOSFET（第２世代SiCチップ）の適用により、従来のSi-IGBTチップに比べて総損失を約70％低減しました。」
1,200V系列All-SiCモジュールで量産を開始し、Si-IGBT比で総損失約70％低減を実現した。 - FY2025-H1前進有価証券報告書
「太陽光発電システム向けに最適化したIGBTモジュール1,200V／800A（M276パッケージ）を開発し、2023年度から継続してサンプル展開を進めています。…本製品は、当期中に量産を開始する予定です。また、鉄道や再生可能エネルギー（再エネ）発電システム向けに1,200V系列のAll-SiCモジュール（M295パッケージ）を開発し、量産を開始しました。」
1,200V／800A IGBTモジュールはサンプル展開から当期中の量産開始予定へ進み、1,200V系列All-SiCモジュールは量産を開始した。第3世代SiCチップ搭載2,300V／1,200A品もサンプル展開を開始した。 - FY2024前進有価証券報告書
「さらに、鉄道や再生可能エネルギー分野向けのパワエレ機器の小型・軽量化、高効率化のため、第２世代SiCトレンチゲートMOSFETを搭載した1,700V／200,300,400A（M295パッケージ）のAll-SiCモジュールを開発し、量産を開始しました。また1,200V耐圧製品の開発も完了し、量産化の準備を進めています。」
第2世代SiC搭載All-SiCモジュールの1,700V・200/300/400A品で量産を開始し、1,200V品も開発完了・量産準備へ進んだ。 - FY2024-Q3前進有価証券報告書
「さらに、鉄道や再生可能エネルギー分野向けのパワエレ機器の小型・軽量化、高効率化のため、第２世代SiCトレンチゲートMOSFETを搭載した1,700V／200,300,400A（M295パッケージ）のAll-SiCモジュールを開発し、量産化の準備を進めています。第２世代SiCチップの適用により、従来のSi-IGBTチップに比べて総損失を約70％低減しました。また、今回新たに開発したM295パッケージは、従来の標準パッケージ（M276）に比べて配線インダクタンスを24％削減しました。」
第2世代SiCトレンチゲートMOSFET搭載All-SiCモジュールについて、1,700V・200/300/400A品を開発し量産化準備へ進んだ。Si-IGBT比で総損失約70％、配線インダクタンス24％の削減を記載している。 - FY2024-Q2前進有価証券報告書
「風力発電システム向けには、電力安定化回路に対して最適化した第７世代IGBTモジュール1,700V／600A DualXTを開発し、量産を開始しました。また、太陽光発電システム向けに最適化したIGBTモジュール1,200V／800A（M276パッケージ）を新たに開発し、サンプル展開を開始しました。中国の電動車市場向けに、RC-IGBTチップと冷却性能の改善により、電力密度をさらに高めた直接水冷型パワーモジュール750V／820A（M675パッケージ）を開発し、量産を開始しました。また、2026年以降のxEV（電動車）モデル向けに、損失を低減し信頼性を高めた次世代IGBT及びSiCの開発を進めています。」
第7世代IGBTでは1,700V／600A品の量産、1,200V／800A品のサンプル展開へ進展した。中国xEV向け750V／820A直接水冷型モジュールも量産を開始し、2026年以降のxEV向け次世代IGBT・SiC開発を継続している。 - FY2024-Q1前進有価証券報告書
「車載モジュール分野では、2026年以降のxEV（電動車）モデル向けに、損失を低減し信頼性を高めた次世代IGBT及びSiCの開発を進めています。」
xEV向けの次世代IGBT・SiCについて、2026年以降のモデルを対象とする開発へ時間軸を具体化した。 - FY2024-Q1前進有価証券報告書
「鉄道や再生可能エネルギー分野における高耐圧化の要求に応えるため、大容量モジュール「HPnC」（High Power next Core）パッケージに、最新の第７世代IGBT／FWD「Xシリーズ」チップを搭載した3,300V耐圧品を系列化しました。これまでに系列化した1,700V耐圧品及び2,300V耐圧品とともに、サンプル展開を進めています。風力発電システム向けには、電力安定化回路に対して最適化した第７世代IGBTモジュール1,700V／600A DualXTを開発し、量産を開始しました。またエアコンやサーボシステム向けには、第７世代IGBT／FWDチップを搭載したモールドタイプの小容量IPM 650V／10～30Aを開発し発売しました。」
第7世代IGBT系で3,300V品の系列化、1,700V／600A品の量産開始、650V／10～30A小容量IPMの発売へ進展した。 - FY2023前進有価証券報告書
「サーバや通信基地局などの電源向けに、第２世代SiC-SBDの系列化を図り、650V／６A、８A、10Aに加え、1,200V／20A、40Aの量産を開始しました。従来に比べて順方向電圧VFを低減し、サージ電流耐量の指標であるIFSMを高めたことで、電源機器の高効率化と信頼性向上に貢献します。」
SiCパワー半導体について、第2世代SiC-SBDの1,200V／20A・40Aを含む量産を開始し、製品系列を拡大した。 - FY2023-Q3前進有価証券報告書
「また、エアコン向けに開発したモールドタイプのIPM製品を産業向け用途に最適化した小容量IPM 650V/10～30Aを新たに系列化しました。モールド構造により高密度実装が可能となり外形寸法が小さくできるため、機器の小型化に貢献します。」
第7世代IGBT-IPM系で、産業用途向け小容量IPM 650V/10～30Aを新たに系列化し、モールド構造による機器小型化を進めた。 - FY2023-Q3前進有価証券報告書
「車載モジュールでは、xEV（電動車）向け製品の系列拡大として、従来に比べて低損失化した新RC-IGBTチップ及び第４世代冷却器を搭載し小型化を実現した直接水冷型パワーモジュール750V/800A品を開発し量産を開始しました。車載向け製品として600A、800A、1,200A品をラインアップしたことで、様々なモータ出力の電動車に幅広く対応できます。さらに2024年以降のxEVモデル向けに、次世代IGBT及びSiC技術を開発しています。」
750V/800A直接水冷型パワーモジュールの量産開始に加え、600A・800A・1,200A品をラインアップし、2024年以降のxEVモデル向け次世代IGBT・SiC技術の開発へ進んだ。 - FY2023-Q2前進有価証券報告書
「電鉄や再生可能エネルギー分野における市場要求に対応するために、第７世代「Xシリーズ」チップを搭載した大容量モジュール「HPnC」（High Power next Core）の系列として1,700V耐圧品を開発し、サンプル展開を開始しました。さらに、同じパッケージに第２世代「SiCトレンチゲートMOSFET」チップを搭載して低損失・高効率化を実現した2,300V、3,300V耐圧品を開発し、サンプル展開を開始しました。」
第7世代IGBTのHPnC 1,700V品に加え、第2世代SiCトレンチゲートMOSFETを搭載した2,300V・3,300V品のサンプル展開を開始した。 - FY2023-Q1前進有価証券報告書
「第７世代「Xシリーズ」チップを搭載した大容量モジュール「HPnC」（High Power next Core）の系列として1,700V／1,200A品を開発し、サンプル展開を開始しました。さらに、駆動機能や保護機能を備えた第７世代IGBT-IPM（Intelligent Power Module）の系列化を完了しました。これまでに製品化しているFA、工作機械、空調機器用途向け650V、1,200V耐圧の中容量製品に加えて、大容量製品として650V／200～450A、1,200V／100～300Aを製品化しました。車載モジュールでは、電気自動車やハイブリッド車向け製品の系列拡大として、従来に比べて低損失化した新RC-IGBTチップ及び第４世代冷却器を搭載し小型化を実現した直接水冷型パワーモジュール750V／800A品を開発し量産を開始しました。」
第7世代IGBT系でHPnCの1,700V／1,200A品をサンプル展開し、IGBT-IPMの系列化完了と大容量品の製品化に進んだ。車載向けでは750V／800A直接水冷型パワーモジュールの量産を開始した。 - FY2022前進有価証券報告書
「車載モジュールでは、電気自動車やハイブリッド車の2022年モデル向けに、さらなる低損失を実現したRC-IGBTチップと電力密度をさらに高めた直接水冷型パワーモジュール、及び小型モータ駆動用の小容量インテリジェントパワーモジュール（IPM）を開発し量産を開始しました。」
EV・HEVの2022年モデル向けRC-IGBT、直接水冷型モジュール、小容量IPMについて開発から量産開始へ進展した。 - FY2022-Q3前進有価証券報告書
「産業用ＲＣ－ＩＧＢＴモジュール1,700Ｖ／800Ａ ＤｕａｌＸＴを開発し製品系列に加え、量産を開始しました。さらに大容量系列では、1,200Ｖ／2,400Ａ、1,700Ｖ／2,400Ａのサンプル展開を開始しました。」「第７世代ＩＧＢＴ－ＩＰＭは、ＦＡ、工作機械、空調機器向けに650Ｖ／20～250Ａ、1,200Ｖ／10～150Ａの系列化が完了しました。さらに大容量の650Ｖ／300～450Ａ、1,200Ⅴ／200～300Ａはサンプル展開を開始しました。」
1,700V／800AのRC-IGBTモジュールが量産開始となり、1,200V・1,700Vの2,400A品および大容量IGBT-IPMのサンプル展開へ進んだ。 - FY2022-Q2前進有価証券報告書
「産業用ＲＣ－ＩＧＢＴモジュール1,700Ｖ／800Ａ ＤｕａｌＸＴを開発し製品系列に加えました。」「また、ルームエアコンやモータードライブ向けには650Ｖ／15～30Ａの第３世代小容量ＩＰＭを開発しました。」「第２世代トレンチＭＯＳＦＥＴチップを搭載した1,200Ⅴ／300～600Ａ、1,700Ｖ／200～400ＡのＡｌｌ－ＳｉＣモジュールのサンプル展開を開始しました。」「ＥＶ（電気自動車）やＨＥＶ（ハイブリッド車）の2021年以降のモデル向けに、第４世代直接水冷技術や次世代チップ技術を適用して電力密度を更に高めた直接水冷型パワーモジュールを開発しています。」「第２世代ＳｉＣ－ＳＢＤを開発しました。…650Ｖ／10Ａの量産を開始しました。」
第7世代IGBT系では1,700V／800AのRC-IGBTモジュールや第3世代小容量IPMを追加し、All-SiCモジュールのサンプル展開、2021年以降モデル向け車載モジュール開発、第2世代SiC-SBDの650V／10A量産開始へ進んだ。 - FY2022-Q1前進有価証券報告書
「第７世代ＩＧＢＴモジュールは、標準品の系列化が昨年度末に完了し、駆動機能や保護機能を備えたＩＰＭ（Ｉｎｔｅｌｌｉｇｅｎｔ Ｐｏｗｅｒ Ｍｏｄｕｌｅ）の系列化を進めています。第７世代ＩＧＢＴ－ＩＰＭは、ＦＡ、工作機械、空調機器向けに650Ｖ／20～250Ａ、1,200Ｖ／10～150Ａの系列化が完了しました。さらに大容量の650Ｖ／300～450Ａ、1,200Ⅴ／200～300Ａの開発を進めています。さらに、Ｓｉ（シリコン）に代わる半導体材料として注目されているＳｉＣ（炭化ケイ素）を使ったＳｉＣモジュール製品の系列化を進めています。第２世代トレンチＭＯＳＦＥＴチップを搭載した1,200Ⅴ／300～600Ａ、1,700Ｖ／200～400ＡのＡｌｌ－ＳｉＣモジュールのサンプル展開を開始しました。」
第7世代IGBT-IPMは650V・20～250Aおよび1,200V・10～150Aの系列化を完了し、大容量品の開発へ進んだ。SiCでは第2世代トレンチMOSFET搭載All-SiCモジュールのサンプル展開を開始した。 - FY2021前進有価証券報告書
「電鉄向けに大容量ＩＧＢＴモジュール1,700Ｖ／1,000Ａの「ＨＰｎＣ」を開発し量産を開始しました。内部構造を最適化することで、高速スイッチングの妨げとなる内部インダクタンスを低減した新たなパッケージを開発し、さらなる低損失化と小型・軽量化を実現しました。」
電鉄向け1,700V／1,000Aの大容量IGBTモジュールHPnCを開発し、量産を開始した。 - FY2021-Q3前進有価証券報告書
「最新の第７世代「Ｘシリーズ」素子を搭載した650Ｖ／20Ａ～75Ａ、1,200Ｖ／10Ａ～35Ａの「ＸシリーズＩＧＢＴ－ＩＰＭ」を開発し、量産を開始しました。第７世代チップとパッケージ技術に加え、制御回路の改良により、さらなる低損失化と小型化を実現しました。また、従来の保護機能に加え、インバータをはじめとする電力変換装置がＩＰＭの過熱異常により突然停止する前に、出力を抑制するなどの対応ができるようにアラーム信号を出力する予防保全機能を世界で初めて搭載しました。」
第7世代XシリーズIGBT-IPMについて、650V品・1,200V品を開発し量産を開始した。予防保全機能も搭載し、製品化段階から量産段階へ進展した。 - FY2021-Q2再掲有価証券報告書
「パワーデバイスの駆動機能や保護機能を備えた第７世代ＩＰＭ（Ｉｎｔｅｌｌｉｇｅｎｔ Ｐｏｗｅｒ Ｍｏｄｕｌｅ）製品の系列化を進めています。…電気自動車（ＥＶ）やハイブリッド車（ＨＥＶ）の2020年モデル向けに、従来よりもパワー密度を高めた車載用直接水冷型パワーモジュールの量産を開始しました。」
第7世代IPMの系列化と、EV・HEV 2020年モデル向け直接水冷型パワーモジュールの量産開始を再掲している。 - FY2021-Q1前進有価証券報告書
「医療用電源などの高周波用途向けに低損失のＳｉＣ－ＳＢＤと高速スイッチング特性を持つＳｉ-ＩＧＢＴと組み合わせた1,200Ｖ／300Ａ,450Ａ高速ハイブリッドモジュールを開発しました。」「電気自動車（ＥＶ）やハイブリッド車（ＨＥＶ）の2020年モデル向けに、従来よりもパワー密度を高めた車載用直接水冷型パワーモジュールの量産を開始しました。」
1,200V・300A／450AのSiC高速ハイブリッドモジュールを開発し、EV・HEVの2020年モデル向け直接水冷型パワーモジュールでは量産を開始した。 - FY2020前進有価証券報告書
「産業用ディスクリート製品では、最新の低損失設計となる第７世代ＩＧＢＴ技術をディスクリート用に最適化した1,200Ｖの低損失ディスクリートＩＧＢＴ ＸＳシリーズの75Ａ品を開発し系列に加えました。」
第7世代IGBT技術を適用した1,200V・75Aの低損失ディスクリート品を系列に追加し、SiC・IGBTを含むパワー半導体製品群を拡充した。 - FY2020-Q3前進有価証券報告書
「第７世代ＩＧＢＴ製品では、駆動機能や保護機能を備えたＩＰＭ（Intelligent Power Module）の系列化を進めています。最初の製品として定格650Ｖ／75Ａ品を開発し、電力変換装置の小型化・高効率化・高信頼性化に貢献します。」
第7世代IGBT製品で、駆動・保護機能を備えたIPMの系列化に進み、初号製品として650V／75A品を開発した。 - FY2020-Q2前進有価証券報告書
「また、産業用途に逆導通ＩＧＢＴ（ＲＣ−ＩＧＢＴ）チップを開発し、産業用ＲＣ－ＩＧＢＴモジュール1200Ｖ／50Ａと1000Ａを系列に加えました。」「また、従来よりもオン電圧とスイッチング損失を低減したＲＣ−ＩＧＢＴの開発を完了し、量産供給を８月に開始しました。」
産業用RC-IGBTモジュールに1,200V／1,000A品を系列追加し、2020年モデル向けRC-IGBTは開発完了から8月の量産供給開始へ進んだ。 - FY2020-Q1前進有価証券報告書
「さらに、シリコンに代わる半導体材料として注目されているＳｉＣ（炭化ケイ素）を使った低損失のＳｉＣ－ＳＢＤと第７世代ＩＧＢＴを組み合わせた3300Ｖ／1200Ａ，1800Ａハイブリッドモジュールを開発しました。／また、従来よりもオン電圧とスイッチング損失を低減した2020年モデル向けのＲＣ−ＩＧＢＴの開発を完了しました。」
SiC-SBDと第7世代IGBTを組み合わせた3,300V・1,200A／1,800Aハイブリッドモジュールを開発し、2020年モデル向けRC-IGBTの開発も完了した。 - FY2019前進有価証券報告書
「第７世代ＩＧＢＴモジュール１７００Ｖ，１２００Ｖ，６５０Ｖの標準製品の系列化を完了しました。また、産業用途に逆導通ＩＧＢＴ（ＲＣ−ＩＧＢＴ）チップを開発するとともに、このチップを採用した産業用ＲＣ－ＩＧＢＴモジュール１２００Ｖ／５０Ａを開発し、量産を開始しました。」
第7世代IGBTの1,700V・1,200V・650V標準系列化を完了し、1,200V／50Aの産業用RC-IGBTモジュール量産を開始した。 - FY2019-Q3前進有価証券報告書
「また、産業用途に逆導通ＩＧＢＴ（ＲＣ−ＩＧＢＴ）チップを開発するとともに、このチップを採用した産業用ＲＣ－ＩＧＢＴモジュール1200Ｖ／50Ａを開発し、量産を開始しました。ＲＣ－ＩＧＢＴの採用により、パワー密度が向上し、チップ面積が大幅に縮小します。」
RC-IGBTチップと1,200V／50Aの産業用モジュールを開発し、量産を開始した。車載用直接水冷型パワーモジュールでは供給先も拡大した。 - FY2019-Q2前進有価証券報告書
「２ｉｎ１標準パッケージ(幅：45mm、62mm、80mm)を使ったＩＧＢＴモジュール200Ａ～600Ａ／1200Ｖ、300Ａ～600Ａ／650Ｖの系列化を完了しました。更に、薄型の２ｉｎ１ ＩＧＢＴ（Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ－Ｇａｔｅ－Ｂｉｐｏｌａｒ－Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）モジュール（Ｄｕａｌ ＸＴ）225Ａ～600Ａ／1200Ｖを開発し発売しました。」
第7世代IGBT技術を用いた標準パッケージの系列化を完了し、Dual XTの225～600A・1200V品を開発・発売した。 - FY2019-Q1前進有価証券報告書
「パワー半導体分野では、低損失および高温動作保証を可能とした最新の第７世代ＩＧＢＴ技術を適用した製品の系列を拡大しています。新たに産業用２ｉｎ１ ＩＧＢＴ（Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ－Ｇａｔｅ－Ｂｉｐｏｌａｒ－Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）モジュール（Ｄｕａｌ ＸＴ：薄型はんだ付け用端子） 225Ａ～600Ａ／1200Ｖの開発を完了しました。プレスフィット（圧入）用端子製品も系列に加える予定です。更に長年使用されている従来パッケージを採用した各種２ｉｎ１ ＩＧＢＴモジュール200Ａ～600Ａ／1200Ｖ、300Ａ～600Ａ／650Ｖの系列化が完了しました。パワーエレクトロニクス装置の高効率化と小型化に貢献します。」
第7世代IGBT技術を適用したDual XTの225～600A・1,200V品の開発と、従来パッケージ品の系列化を完了した。 - FY2018前進有価証券報告書
「さらに、1,200Ｖ／600Ａ，800Ａの産業用２ｉｎ１ＩＧＢＴモジュール「ＤｕａｌＸＴ」を開発し発売しました。本製品は第７世代ＩＧＢＴチップとＦＷＤ（Ｆｒｅｅ－Ｗｈｅｅｌｉｎｇ－Ｄｉｏｄｅ）チップならびに新規のパッケージ技術を適用することによって、前シリーズ（第６世代ＩＧＢＴモジュール）と同一形状のパッケージのまま最大定格電流をこれまでの600Ａから800Ａへと拡大しました。」
第7世代IGBT等を用いたDualXTを開発・発売し、同一形状のまま最大定格電流を600Aから800Aへ拡大した。 - FY2018-Q3前進有価証券報告書
「低損失及び高温動作の保証を可能とした最新の第７世代ＩＧＢＴ技術を適用した10Ａ～50Ａ／650Ｖと10Ａ～35Ａ／1,200Ｖの産業用ＩＧＢＴモジュールを開発し発売しました。」
第7世代IGBT技術を適用した産業用IGBTモジュールを開発・発売し、650V・1,200V品を展開した。車載用直接水冷型パワーモジュールでは逆導通IGBTも採用した。 - FY2018-Q2前進有価証券報告書
「ＳｉＣ－ＳＢＤ（Ｓｃｈｏｔｔｌｙ－Ｂａｒｒｉｅｒ－Ｄｉｏｄｅ）とＳｉ－ＩＧＢＴ（Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ－Ｇａｔｅ－Ｂｉｐｏｌａｒ－Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を組み合わせたＳｉＣハイブリッドモジュールの系列を拡大し、1,200Ｖ／200Ａ，300Ａおよび450Ａ定格の２ｉｎ１製品を開発し発売しました。」
SiCハイブリッドモジュールの系列を拡大し、1,200V・200A、300A、450A定格の2in1製品を開発・発売した。 - FY2018-Q1前進有価証券報告書
「パワー半導体分野では、トレンチゲート構造ＳｉＣ－ＭＯＳＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ－Ｏｘｉｄｅ－Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｆｉｅｌｄ Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を開発しました。しきい値電圧Ｖｔｈが５Ｖで、単位面積当りのオン抵抗Ｒｏｎ・Ａが3.5ｍΩc㎡と世界最高レベルの低抵抗を達成しました。この素子を搭載したオールＳｉＣモジュールを今後製品化し、パワエレ機器の高性能化に貢献していきます。」
トレンチゲート構造SiC-MOSFETでオン抵抗3.5mΩc㎡を達成し、オールSiCモジュールの製品化に向けて進展した。 - FY2017前進有価証券報告書
「北米向けにモジュール型バックアップ電源「Ｆ－ＤＣ ＰＯＷＥＲ」を開発し発売しました。ＳｉＣデバイスと新回路方式を採用することで、総合効率は従来に比べ８ポイント向上し92％となります。」
SiCデバイスを採用した北米向けバックアップ電源を開発・発売し、総合効率92％を実現した。 - FY2017-Q3再掲有価証券報告書
「また、電気自動車（ＥＶ）やハイブリッド車（ＨＥＶ）、プラグインハイブリッド車で使用される車載用直接水冷型パワーモジュールのサンプル出荷を開始しました。」
EV・HEV等向け車載用直接水冷型パワーモジュールのサンプル出荷開始を継続して記載している。 - FY2017-Q2前進有価証券報告書
「また、電気自動車（ＥＶ）やハイブリッド車（ＨＥＶ）、プラグインハイブリッド車で使用される車載用直接水冷型パワーモジュールのサンプル出荷を開始しました。」「先期に東海道新幹線次期Ｎ７００Ｓ系試験車両向けに東海旅客鉄道株式会社と共同開発した弊社ＳｉＣパワーモジュールを採用した主変換装置を車両に搭載し、量産に向けた耐久走行試験を継続しています。」
車載用直接水冷型パワーモジュールのサンプル出荷を開始し、SiCパワーモジュール採用の新幹線主変換装置では量産に向けた耐久走行試験を継続している。 - FY2017-Q1前進有価証券報告書
「355～450ｋＷの容量帯においてＳｉＣハイブリッドモジュールを採用したことで、発生損失が34％低減し、Ｓｉ素子のスタックに比べ容量が43％拡大しました。」
SiCハイブリッドモジュール採用製品で損失低減と容量拡大を実現したと記載している。 - FY2016初出有価証券報告書
「強いパワエレ機器の創出に向けたSiCパワー半導体や車載分野における新製品開発を加速します。」
SiCと車載分野を、パワエレ機器の強化につながる開発領域としている。