次世代三次元メモリ・次世代露光技術への対応
FY2016に初出。16回の記載のうち9回が「前進」で、最初の「前進」はFY2017。直近の記載は2026-02-26。
直近の記載が「前進」なのは、ほかに3社。
- 2026-02-26前進株主総会
「当社は、次世代半導体パッケージのコンソーシアム｢JOINT3｣に参画いたしました。」
次世代半導体パッケージに関する共創型評価プラットフォームへの参画を記載している。 - FY2024再掲有価証券報告書
「当連結会計年度におきましては、微細加工技術における優位性を堅持すべく、半導体製造分野において、最先端半導体製造プロセスに使用される極端紫外線用フォトレジストの開発に注力し、高い顧客評価を獲得することができました。」
EUV用フォトレジストの開発と高い顧客評価の獲得を継続して記載している。 - FY2022-Q3前進有価証券報告書
「当事業の内部取引を除いた売上高は、33億83百万円（前年同期比121.2％増）となり、営業利益は、前年同期比５億82百万円改善し、３億39百万円となりました。これは、高機能、高性能な半導体を実現するシリコン貫通電極形成プロセスなどに使用されるウェハハンドリングシステム「ゼロニュートン®」等の受注済み製品の検収が進んだことが主な要因であります。」
ゼロニュートン等の受注済み製品の検収が進み、装置事業の売上高が前年同期比121.2％増、営業利益が3億39百万円となった。 - FY2022-Q2前進有価証券報告書
「当事業の内部取引を除いた売上高は、24億54百万円（前年同期比182.0％増）となり、営業利益は、前年同期比４億45百万円改善し、２億19百万円となりました。これは、高機能、高性能な半導体を実現するシリコン貫通電極形成プロセスなどに使用されるウェハハンドリングシステム「ゼロニュートン®」等の受注済み製品の検収が進んだことが主な要因であります。」
シリコン貫通電極形成プロセス等に使用されるゼロニュートン等について、受注済み製品の検収が進み、装置事業売上高が前年同期比182.0％増、営業利益が2億19百万円となった。 - FY2021前進有価証券報告書
「当連結会計年度におきましては、微細加工技術における優位性を堅持すべく、半導体製造分野において、最先端半導体製造プロセスに使用される極端紫外線用フォトレジストの開発に注力し、高い顧客評価を獲得することができました。」
EUV用フォトレジストについて、高い顧客評価を獲得したという具体的な開発成果を年度実績として記載している。 - FY2019前進有価証券報告書
「半導体製造分野において、次世代半導体製造プロセスとして実用化の迫る極端紫外線用フォトレジストの開発に注力し、高い顧客評価を獲得することができました。」
EUV用フォトレジストで高い顧客評価を獲得し、次世代半導体製造プロセスへの対応に具体的な進展を記載している。 - FY2019-Q3悪化有価証券報告書
「装置事業におきましても、出荷済み装置の検収遅延等により、売上は前年同期を下回りました。また、ユーザーにおける生産能力の増強投資が抑制されていることから、受注も大幅に減少しました。」
装置事業では検収遅延に加え、ユーザーの生産能力増強投資の抑制により売上・受注がともに低下し、次世代装置関連の事業環境が悪化している。 - FY2019-Q2悪化有価証券報告書
「一方で受注は、ユーザーにおける生産能力の増強投資が抑制されていることから前年同期を大幅に下回りました。」
装置事業の売上は検収進展により前年同期を上回った一方、ユーザーの生産能力増強投資の抑制により受注は前年同期を大幅に下回った。 - FY2019-Q1悪化有価証券報告書
「エレクトロニクス機能材料部門では、三次元メモリ向けの売上は堅調に推移したものの、アジア地域における半導体需要が鈍化傾向であったことから半導体用フォトレジストの販売が前年同期を下回った」
三次元メモリ向け売上は堅調だった一方、アジアの半導体需要鈍化により半導体用フォトレジスト販売が前年同期を下回った。 - FY2018-Q3悪化有価証券報告書
「また、シリコン貫通電極形成システム「ゼロニュートンⓇ」は、ユーザーにおける生産能力の増強投資抑制の影響を受けたため、受注は前年同一期間を下回りました。」
前四半期には研究開発活動の成果により受注が前年同一期間を上回ったとされたが、当四半期は生産能力増強投資の抑制によりゼロニュートンの受注が前年同一期間を下回った。 - FY2018-Q2前進有価証券報告書
「この結果、装置事業の売上高は10億86百万円（前年同一期間比54.1％増）となりました。また、営業損失は前年同一期間に比べ３億41百万円改善し、３億21百万円となりました。」
ゼロニュートンを含む装置事業で売上高が前年同一期間比54.1％増となり、営業損失も3億41百万円改善した。 - FY2017-Q3悪化有価証券報告書
「シリコン貫通電極形成システム「ゼロニュートンⓇ」は、出荷済み装置の検収時期の遅れもあり、売上は前年同期を下回りました。また、受注は、ユーザーにおける設備投資先送りの影響を受け、低調に推移いたしました。」
前回報告時に受注動向が上向いたとされていたが、当四半期累計では検収遅延により売上が前年同期を下回り、受注も低調となった。 - FY2017-Q2前進有価証券報告書
「また、シリコン貫通電極形成システム「ゼロニュートンⓇ」は、データサーバーなどに向けた需要拡大を受けて、受注動向も上向いてまいりました。」
三次元実装関連製品について、データサーバー向け需要の拡大を受けて受注動向が上向くという具体的な進展を記載している。 - FY2017前進有価証券報告書
「半導体用フォトレジストは、エキシマレーザー用フォトレジストが三次元メモリ向けに引き続き拡大したほか、大手ユーザーにおける最先端プロセスを適用した半導体の量産が本格化したことで、販売は堅調に推移し、売上は増加いたしました。」
三次元メモリ向けエキシマレーザー用フォトレジストの販売拡大と、最先端プロセス半導体の量産本格化を記載している。 - FY2017前進有価証券報告書
「韓国のグループ会社において現地開発製品の拡販に取り組むとともに、エキシマレーザー用フォトレジストの新たな用途である三次元メモリの市場が拡大したほか、大手ユーザーにおける最先端プロセスを適用した半導体の量産が本格化したことで、販売は堅調に推移しました。」
三次元メモリ市場の拡大と大手ユーザーの最先端プロセス量産本格化を受け、関連フォトレジストの販売が堅調に推移した。 - FY2016初出有価証券報告書
「最先端微細加工技術や次世代の三次元メモリ向け製品の開発に尽力するとともに」
三次元メモリ向け製品や次世代露光技術対応フォトレジストを開発対象として明示している。