江蘇富楽徳半導体の第三者割当増資と科創板上場を前提とした成長加速
FY2021に初出。7回の記載のうち6回が「前進」で、最初の「前進」はFY2022-Q1。直近の記載はFY2026-H1。
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- FY2026-H1前進有価証券報告書
「当該取引によりFTSVAが取得したFLHの議決権比率は100％であり、当社グループのFLHの議決権比率は55.1％から54.3％となりました。」
江蘇富楽華半導体の事業について、安徽富楽徳科技発展股份有限公司が新株式発行と転換社債発行を通じてFLHを完全子会社化した。上場子会社への統合により、事業規模の確保、資金調達の多様化、事業価値の顕在化を進める段階に到達した。 - FY2023-Q3前進有価証券報告書
「パワー半導体市場は今後更なる成長が見込まれており、当社のパワー半導体事業の更なる事業拡大に向けて、生産能力の増強及び研究開発強化等を目的に実施したものであります。 第三者割当増資により当社の出資比率は、60.6％から55.1％となりました。」
江蘇富楽華半導体科技股份有限公司について、パワー半導体用基板の生産能力増強・研究開発強化を目的とする第三者割当増資を実施し、当社出資比率は60.6％から55.1％へ低下した。 - FY2023-Q2前進有価証券報告書
「当第２四半期連結累計期間において、連結子会社である江蘇富楽華半導体科技股份有限公司及び寧夏盾源聚芯半導体科技股份有限公司が第三者割当増資を実施したため、資本剰余金が9,939百万円増加しました。」
江蘇富楽華半導体の第三者割当増資が当四半期にも実施され、資本剰余金増加の一部を構成した。パワー半導体用基板の生産能力・研究開発強化に向けた外部資本導入が継続している。 - FY2023-Q1前進有価証券報告書
「パワー半導体市場の急速な拡大に伴い、当社のパワー半導体事業の成長スピードを鑑み、更なる事業拡大に向けて生産能力の増強及び研究開発強化を目的に実施したものであります。第三者割当増資により当社の出資比率は、増資前の66.7％から60.6％となりました。」
江蘇富楽華半導体科技股份有限公司について、パワー半導体用基板の生産能力増強・研究開発強化を目的とする第三者割当増資を実施した。当社出資比率は66.7％から60.6％へ低下した。 - FY2022-Q2前進有価証券報告書
「上海証券取引所科創板市場への上場を進める中で、更なる事業拡大に向けて生産能力増強及び基板開発と基板周辺の研究開発強化を目的に実施したものであります。 第三者割当増資により当社の出資比率は、増資前の71.12％から66.69％となりました。」
江蘇富楽徳半導体科技有限公司について、科創板市場への上場を進める中で、生産能力増強および基板・周辺技術の研究開発強化を目的とする第三者割当増資を実施した。当社出資比率は71.12％から66.69％へ低下した。 - FY2022-Q1前進有価証券報告書
「将来的にFTSJを中国のハイテク企業向け市場である科創板市場への上場を目指すことを前提に、更なる事業拡大に向けて東台工場（中国・江蘇省）でのパワー半導体用絶縁・放熱基板（DCB基板）、および窒化ケイ素や窒化アルミニウムを基材とした、より放熱性や信頼性の高いAMB方式の新たな技術による基板の早期の生産能力の増強を行うことを目的に実施したものであります。第三者割当増資により当社の出資比率は、増資前の88.89％から71.12％となりました。」
FTSJについて、科創板上場を前提とした第三者割当増資により、DCB・AMB基板の生産能力増強を進め、当社出資比率は88.89％から71.12％へ低下した。 - FY2021初出有価証券報告書
「このような成長戦略の下、成長をより一層加速させるため、将来的にFTSJを中国のハイテク企業向け市場である科創板市場へ上場させることを前提に、地元政府基金および主要顧客との戦略パートナー関係を構築することが当社グループの企業価値向上に資すると判断し、実施したものであります。第三者割当増資により当社の出資比率は、増資前の100.0％から88.89％となりました。」
パワー半導体用基板を製造・販売する江蘇富楽徳半導体科技有限公司について、第三者割当増資を実施し、地元政府基金・主要顧客との戦略パートナー関係を構築するとともに、将来的な科創板上場を前提とする方針を初めて示している。