沖電気工業（6703）・施策前進
異種材料接合による縦型ＧａＮパワーデバイス技術の開発
FY2024-Q2に初出。5回の記載のうち3回が「前進」で、最初の「前進」はFY2024。直近の記載は2026-07-30。
5記載
4年にわたる
1うち適時開示
動きの推移
同じテーマの他社
縦型GaNパワーデバイスの高耐圧化技術開発2社が書いているテーマ・逆風0社・追い風2社
直近の記載が「前進」なのは、ほかに1社。
尾根＝前進を書いた年、谷＝悪化を書いた年。奥ほど前向きな会社。 ドラッグで回転、スクロールで拡大、右ドラッグで移動。スマホは2本指で回転・拡大（1本指はページのスクロール）。
全記録提出書類・適時開示・報道、新しい順
- 2026-07-30前進決算説明資料
「CFB量産化に向けて、順調に進捗中」
CFB技術について、量産立ち上げに向けた進捗を示した。 - FY2026前進有価証券報告書
「また、ＣＦＢ技術（※１）を用いたタイリングにより、300ｍｍシリコンウエハー上への光半導体の異種材料集積を可能とする技術を開発しました。これにより、光電融合技術の発展に寄与するとともに、将来の高性能・低消費電力デバイスの実現に向けた基盤を構築しました。」
CFB技術を用いた300mmシリコンウエハー上への光半導体異種材料集積技術を開発し、光電融合・低消費電力デバイスに向けた技術段階を進めた。 - FY2024前進有価証券報告書
「今後は、ＧａＮデバイスを製造するお客様とのパートナーリングやライセンシングにより、社会実装可能な縦型ＧａＮパワーデバイスの開発を進めます。」
縦型GaNパワーデバイスについて、技術開発成果の再掲に加え、顧客とのパートナーリング・ライセンシングによる社会実装の進め方を示した。 - FY2024-Q3再掲有価証券報告書
「主な研究成果として、信越化学工業株式会社が独自改良したＱＳＴ®基板（注１）からＯＫＩのＣＦＢ®技術（注２）を用いてＧａＮ（窒化ガリウム）機能層のみを剥離し、異種材料基板へ接合する技術を開発しました。本技術によりＧａＮの縦型導電が可能となり、大電流を制御できる縦型ＧａＮパワーデバイスの実現と社会実装への道が大きく開けました。」
前四半期に記載した縦型ＧａＮパワーデバイス向けの異種材料基板接合技術と、その社会実装への展望を再掲した。 - FY2024-Q2初出有価証券報告書
「信越化学工業株式会社が独自改良したＱＳＴ®基板（注１）からＯＫＩのＣＦＢ®技術（注２）を用いてＧａＮ（窒化ガリウム）機能層のみを剥離し、異種材料基板へ接合する技術を開発しました。本技術によりＧａＮの縦型導電が可能となり、大電流を制御できる縦型ＧａＮパワーデバイスの実現と社会実装への道が大きく開けました。」
既存の報告セグメントに含まれない将来事業の新規領域として、QST基板、CFB技術、GaN機能層の剥離・接合を組み合わせた縦型GaNパワーデバイス技術の開発を初めて記載した。