10nm・7nm世代およびEUV向けフォトレジストの開発
FY2016に初出。23回の記載のうち16回が「再掲」。直近の記載は2026-05-28。
直近の記載が「前進」なのは、ほかに3社。
- 2026-05-28前進株主総会
「半導体露光材料の製造及び開発拠点の建設（当社伊勢崎工場）」
半導体露光材料の製造・開発拠点を建設中と記載している。 - FY2025前進有価証券報告書
「フォトレジストは、デバイスの微細化に対応するため、ＥＵＶレジストや多層材料の性能改善が継続されており、２nm世代は既に量産へ移行しています。現在は、１．４nm以細のＥＵＶ用プロセス材料を中心に開発を強化しています。」
3nm世代の量産・2nm以細の開発から、2nm世代の量産移行と1.4nm以細のEUV用プロセス材料開発へ進展している。 - FY2024再掲有価証券報告書
「フォトレジストは、デバイスの微細化に対応するため、ＥＵＶレジストや多層材料の性能改善が継続されており、３nm世代は既に量産へ移行しています。現在は、２nm以細のＥＵＶ用プロセス材料を中心に開発を強化しています。」
3nm世代の量産移行と2nm以細のEUV用プロセス材料開発という前期記載の段階を継続している。 - FY2024-Q3再掲有価証券報告書
「なお、当第３四半期連結累計期間において、当社グループの研究開発活動の状況に重要な変更はありません。」
フォトレジストの微細化対応、EUVレジストおよびプロセス材料の研究開発について、重要な変更がないと記載している。 - FY2024-Q2再掲有価証券報告書
「なお、当第２四半期連結累計期間において、当社グループの研究開発活動の状況に重要な変更はありません。」
フォトレジストの微細化対応、EUVレジストおよびプロセス材料の研究開発について、重要な変更がないと記載している。 - FY2023前進有価証券報告書
「フォトレジストは、デバイスの微細化に対応するため、ＥＵＶレジストや多層材料の性能改善が継続されており、３nm世代は既に量産へ移行しています。現在は、２nm以細のＥＵＶ用プロセス材料を中心に開発を強化しています。」
5nm世代の量産・3nm以細の開発という前段階から、3nm世代の量産移行と2nm以細のEUV用プロセス材料開発へ進展している。 - FY2023-Q3再掲有価証券報告書
「なお、当第３四半期連結累計期間において、当社グループの研究開発活動の状況に重要な変更はありません。」
フォトレジストの微細化対応、EUVレジストおよびプロセス材料の研究開発について、重要な変更がないと記載している。 - FY2023-Q2再掲有価証券報告書
「なお、当第２四半期連結累計期間において、当社グループの研究開発活動の状況に重要な変更はありません。」
フォトレジストの微細化対応、EUVレジストおよびプロセス材料の研究開発について、重要な変更がないと記載している。 - FY2022再掲有価証券報告書
「フォトレジストは、デバイスの微細化に対応するため、ＥＵＶレジストや多層材料の性能改善が継続されており、５nm世代は既に量産へ移行しています。現在は、３nm以細のＥＵＶ用プロセス材料を中心に開発を強化しています。」
5nm世代の量産移行と3nm以細のEUV用プロセス材料開発という前期記載の段階を、通期でも継続している。 - FY2022-Q1再掲有価証券報告書
「なお、当第１四半期連結累計期間において、当社グループの研究開発活動の状況に重要な変更はありません。」
10nm・7nm世代およびEUV向けフォトレジストに関係する研究開発活動について、重要な変更がないと記載している。 - FY2021前進有価証券報告書
「フォトレジストは、デバイスの微細化に対応するため、ＥＵＶレジストや多層材料の性能改善が継続されており、５nm世代は既に量産へ移行しています。現在は、３nm以細のＥＵＶ用プロセス材料を中心に開発を強化しています。」
5nm世代が量産へ移行し、開発の重点が5nm以細から3nm以細のEUV用プロセス材料へ進展している。 - FY2021-Q1再掲有価証券報告書
「なお、当第１四半期連結累計期間において、当社グループの研究開発活動の状況に重要な変更はありません。」
10nm・7nm世代およびEUV向けフォトレジストに関係する研究開発活動について、重要な変更がないと記載している。 - FY2020-Q3再掲有価証券報告書
「なお、当第３四半期連結累計期間において、当社グループの研究開発活動の状況に重要な変更はありません。」
10nm・7nm世代およびEUV向けフォトレジストに関係する研究開発活動について、重要な変更がないと記載している。 - FY2020-Q2再掲有価証券報告書
「なお、当第２四半期連結累計期間において、当社グループの研究開発活動の状況に重要な変更はありません。」
10nm・7nm世代およびEUV向けフォトレジストに関係する研究開発活動について、重要な変更がないと記載している。 - FY2019前進有価証券報告書
「フォトレジストは、デバイスの微細化に対応するため、ＡｒＦ液浸レジストや多層材料の性能改善は継続されており、７nm世代は既に量産へ移行しています。現在は、５nm以細のＥＵＶ用プロセス材料を中心に開発を強化しています。」
7nm世代は従来の開発最終段階から量産へ移行し、5nm以細のEUV用プロセス材料を中心とする開発強化へ進展している。 - FY2019-Q3再掲有価証券報告書
「なお、当第３四半期連結累計期間において、当社グループの研究開発活動の状況に重要な変更はありません。」
10nm・7nm世代およびEUV向けフォトレジストに関係する研究開発活動について、重要な変更がないと記載している。 - FY2019-Q2再掲有価証券報告書
「なお、当第２四半期連結累計期間において、当社グループの研究開発活動の状況に重要な変更はありません。」
10nm・7nm世代およびEUV向けフォトレジストに関係する研究開発活動について、重要な変更がないと記載している。 - FY2018前進有価証券報告書
「フォトレジストは、ネガ現像のＡｒＦ液浸レジスト、多層材料の性能改善を実施し、７nm世代の開発が最終段階を迎えております。また、５nmの基礎検討が開始され、５nm以細の候補リソ技術のＥＵＶ用レジスト開発にも取り組んでおります。」
従来の10nm世代・7nm基礎検討から、7nm世代が最終段階、5nm基礎検討開始、5nm以細のEUV用レジスト開発へ進展している。 - FY2018-Q3再掲有価証券報告書
「なお、当第３四半期連結累計期間において、当社グループの研究開発活動の状況に重要な変更はありません。」
10nm・7nm世代およびEUV向けフォトレジストに関係する研究開発活動について、重要な変更がないと記載している。 - FY2018-Q2再掲有価証券報告書
「なお、当第２四半期連結累計期間において、当社グループの研究開発活動の状況に重要な変更はありません。」
10nm・7nm世代およびEUV向けフォトレジストに関係する研究開発活動について、重要な変更がないと記載している。 - FY2018-Q1再掲有価証券報告書
「なお、当第１四半期連結累計期間において、当社グループの研究開発活動の状況に重要な変更はありません。」
10nm・7nm世代およびEUV向けフォトレジストに関係する研究開発活動について、重要な変更がないと記載している。 - FY2017再掲有価証券報告書
「フォトレジストは、ネガ現像のＡｒＦ液浸レジスト、多層材料の性能改善を実施し、10nm世代の開発が最終段階を迎えております。また、７nmの基礎検討が開始され、７nm以細の候補リソ技術のＥＵＶ用レジスト開発にも取り組んでおります。」
10nm開発の最終段階、7nm基礎検討、7nm以細のEUV用レジスト開発という段階を継続して記載している。 - FY2016初出有価証券報告書
「フォトレジストは、ネガ現像のＡｒＦ液浸レジスト、多層材料の性能改善を実施し、10nm世代の開発が最終段階を迎えております。また、７nmの基礎検討が開始され、７nm以細の候補リソ技術のＥＵＶ用レジスト開発にも取り組んでおります。」
10nm世代が最終段階、7nmの基礎検討開始、7nm以細のEUV用レジストに取り組むという段階を記載している。