将来の半導体応用を大きな事業目標とする方針
FY2022に初出。20回の記載のうち16回が「前進」で、最初の「前進」はFY2023-Q1。直近の記載は2026-06-30。
このテーマで動きを比べられる他社は、まだありません。
- 2026-06-30前進経営計画
「開発中の2インチ（50mmΦ）モザイクウエハを、本年度下期にも製品化する計画」
2インチモザイクウエハの製品化時期を2026年10月頃とし、4インチモザイクウエハ及び低抵抗ウエハの開発投資計画も具体化している。 - FY2026前進有価証券報告書
「2026年５月27日に、２インチウエハ用のモザイク結晶の開発に成功したことを公表しましたが、２インチウエハについては現在製品化を進めており、2027年３月期下期に実現できると計画しております。」
半導体応用の大きな目標に関し、2インチウエハ用53x53mmモザイク結晶の開発成功を公表し、2027年3月期下期の2インチウエハ製品化計画へ進んでいる。 - FY2026-H1前進有価証券報告書
「引き続き25x25mm以上の単結晶を４個接続した２インチモザイクウエハの開発のための取り組みを開始しております。この開発の達成目標時期は2025年12月末ですが、当中間連結会計期間中に計画していた要素技術の開発が進捗しており、達成可能と考えております。さらに、４インチウエハを目指す開発の最初の段階である50x50mmの単結晶の開発にも着手しております。」
2インチモザイクウエハについて2025年12月末の達成目標を維持し、要素技術の進捗を確認した。4インチ化の初段階として50x50mm単結晶の開発にも着手している。 - FY2025前進有価証券報告書
「当社グループは単結晶の大型化を進め、最終的に４インチウエハを目指すロードマップを2024年11月28日に開示いたしました。当時開発を進めていた30x30mmの単結晶を、2025年２月までに実用化し、これから１インチ(直径25mm)を実用化することを目標といたしました。2025年２月13日に30x30mm単結晶の実用化を開示し、このロードマップの最初のマイルストーンについて予定通り進めることができました。」
半導体応用に向けた大型化ロードマップを開示し、30x30mm単結晶の実用化という最初のマイルストーンを2025年2月13日に達成した。1インチ、2インチ、4インチへの段階的な開発目標も具体化している。 - FY2025-H1前進有価証券報告書
「当中間連結会計期間においては、2024年９月に、それまでは７x７mmが最大サイズであった低抵抗自立基板について、13x13mmまでの大型基板を商品化いたしました。」
半導体デバイス向け低抵抗自立基板について、最大サイズを7x7mmから13x13mmへ拡大し、2024年9月に大型基板を商品化した。 - FY2024前進有価証券報告書
「当社は以前よりこのような低抵抗のダイヤモンドが成長する条件を開発しており、2023年８月に0.2mm厚の自立基板と、基板上に薄膜を形成したエピ基板の両者の製品発表を行いました。この低抵抗ダイヤモンドは、生産部に技術を移管して、本格的な生産を開始しております。」
半導体応用に向けた低抵抗ダイヤモンドについて、0.2mm厚製品の発表と生産部への技術移管、本格生産開始を通期報告で確認している。 - FY2024-Q3前進有価証券報告書
「当社は以前よりこのような低抵抗のダイヤモンドが成長する条件を開発しており、2023年８月に0.2mm厚の自立基板と、従来結晶上に薄膜を形成したエピ基板の両者の製品発表を行いました。この低抵抗ダイヤモンドは、生産部に技術を移管して、本格的な生産を開始しております。この製品を効率的に生産するため、ウォータージェットレーザーを2023年11月に導入いたしました。これによって大型の自立基板を作製することが可能となり、ダイヤモンドパワーデバイス開発に貢献できると考えております。」
低抵抗ダイヤモンドについて、0.2mm厚製品の発表、本格生産の開始、ウォータージェットレーザーの導入まで進展している。 - FY2024-Q2前進有価証券報告書
「当社は以前よりこのような低抵抗のダイヤモンドが成長する条件を開発しており、2023年８月10日に0.2mm厚の自立基板と、従来結晶上に薄膜を形成したエピ基板の両者の製品発表を行いました。この低抵抗ダイヤモンドは、生産部に技術を移管して、本格的な生産を開始しております。この製品を効率的に生産するため、ウォータージェットレーザーを2023年11月に導入する計画で、設置場所の整備を行いました。」
低抵抗ダイヤモンドについて、0.2mm厚の自立基板等を2023年8月10日に発表し、生産部への技術移管と本格生産を開始した。効率生産に向けたウォータージェットレーザーは2023年11月導入計画とされている。 - FY2024-Q1前進有価証券報告書
「当社は既にこのような低抵抗のダイヤモンドが成長する条件を開発しており、0.2mm程度の厚さの基板の試作を行い、目標とした抵抗等の特性を得られることを確認しました。この製品化について審査を行い、2023年３月期第３四半期からテスト的な販売を開始し、その評価状況を見て、当事業年度中にも製品化を行うことを検討いたします。この製品化に必要な生産設備であるウォータージェットレーザーを2023年11月に導入する計画で、設置場所の整備を始めております。」
低抵抗基板について、0.2mm程度の試作と目標特性の確認に加え、製品化設備であるウォータージェットレーザーの2023年11月導入計画と設置準備を記載している。 - FY2023-Q3前進有価証券報告書
「当社は既にこのような低抵抗のダイヤモンドが成長する条件を開発しており、0.2mm程度の厚さの基板の試作を行い、目標とした抵抗等の特性を得られることを確認しました。この製品化について審査を行い、2023年３月期第３四半期からテスト的な販売を開始し、その評価状況を見て、2024年３月期にも製品化を行うことを検討します。この製品化に必要な生産設備の導入も順次進めてまいります。」
低抵抗Bドープ基板について、0.2mm程度の試作品で目標特性を確認し、2023年3月期第3四半期からテスト販売を開始するとともに、2024年3月期の製品化と生産設備導入を検討・推進している。 - FY2023-Q2前進有価証券報告書
「当社は既にこのような低抵抗のダイヤモンドが成長する条件を確立しており、0.2mm程度の厚さの基板の試作を行い、目標とした特性を得られることを確認しました。この製品化について審査を行い、2023年３月期第３四半期からテスト的に一部のユーザーへ販売することを決定しました。当該状況を見て、2024年３月期にも製品化を行う方針です。」
半導体デバイス向け低抵抗基板について、0.2mm程度の試作で目標特性を確認し、2023年3月期第3四半期からの一部ユーザー向け試験販売と2024年3月期の製品化方針を決定した。 - FY2023-Q1前進有価証券報告書
「当社は既にこのような低抵抗のダイヤモンドが成長する条件を確立しており、0.2mm程度の厚さの基板の試作を行い、目標とした特性を得られることを確認しました。そのため、製品化の時期について検討を行ってまいります。」
半導体デバイス用の低抵抗基板について、0.2mm程度の試作で目標特性を確認し、製品化時期の検討段階に進んでいる。 - FY2022初出有価証券報告書
「将来の半導体応用を大きな目標としており、当該目標を達成するために、以下の事項を課題として認識しております。」
半導体応用を将来の大きな目標と位置づけ、市場開拓・技術開発・生産体制などを課題として列挙している。