サンケン電気（6707）・施策前進
SiC・GaN化合物半導体の開発と市場展開
FY2019に初出。8回の記載のうち6回が「前進」で、最初の「前進」はFY2020。直近の記載は2026-08-13。
8記載
8年にわたる
2うち適時開示
動きの推移
同じテーマの他社
SiC・GaN等の次世代パワーエレクトロニクス製品の開発・量産化4社が書いているテーマ・逆風0社・追い風4社
直近の記載が「前進」なのは、ほかに1社。
尾根＝前進を書いた年、谷＝悪化を書いた年。奥ほど前向きな会社。 ドラッグで回転、スクロールで拡大、右ドラッグで移動。スマホは2本指で回転・拡大（1本指はページのスクロール）。
全記録提出書類・適時開示・報道、新しい順
- FY2026-H1前進有価証券報告書
「株式会社パウデックは高性能なGaNパワーデバイスを実現できる技術を有しておりますが、この高度な技術力をさらに向上させるとともに、高耐圧パワーモジュール・パワーデバイス製品とGaNパワーデバイスを組み合わせることで、当社が今後拡大を狙うGaNパワーデバイス市場における競争力を高めてまいります。」
パウデックの吸収合併により、同社のGaN技術と当社の高耐圧パワーモジュール・パワーデバイスを組み合わせる方針が、買収後の統合段階へ進んだ。 - FY2025前進有価証券報告書
「なお、当社は独自の窒化ガリウム（以下、「GaN」）エピタキシャル技術を保有する株式会社パウデックの全株式取得を決定し、2025年４月１日付で同社を子会社としました。同社とのシナジー効果により技術力を向上させ、当社が今後拡大を狙うGaNパワーデバイス市場における競争優位性を高めてまいります。」
GaN施策が、独自のエピタキシャル技術とPSJ技術を持つパウデックの全株式取得・子会社化へ進み、GaNパワーデバイス市場での競争優位性向上を狙う段階となった。 - FY2023前進有価証券報告書
「従来のGen.2構造に対しセルの微細化、N drift層と基板の低抵抗化により、単位面積当たりのオン抵抗を2.5mΩcm2に低減し、チップサイズを約24％縮小、高耐圧・高効率の材料SiC（シリコンカーバイド）を用いた第三世代(Gen.3)1200V SiC-MOSFETを開発。」
SiC施策が、Gen.3 1200V SiC-MOSFETの開発と、オン抵抗2.5mΩcm2・チップサイズ約24％縮小という成果へ進んだ。NEDOのSiCスマートパワーIC研究も採択された。 - FY2021前進有価証券報告書
「中耐圧領域のスイッチング電源やモータインバータ向け800V SiC MOSFETの開発に着手し、Siデバイスとの比較でスイッチング損失に対しての優位性を確認。」
化合物半導体施策が、800V SiC MOSFETの開発着手と性能優位性の確認へ進んだ。GaNではカスタム製品展開と歩留まり安定化、縦型デバイス検討も継続している。 - FY2020前進有価証券報告書
「なお、SiCデバイスに関しては、NEDOプロジェクト及びSIPプロジェクトに参画して、SiCモジュール開発に一定の成果を得て完了いたしました。この成果を今年度から開始されるSiCモジュールの製品開発に活用いたします。」
SiCモジュール開発を完了し、その成果を製品開発へ活用する段階に進んだ。GaNではカスタム製品を展開中で、歩留まり安定化と縦型デバイス検討を継続している。 - FY2019初出有価証券報告書
「⑥化合物半導体（SiC、GaN）の早期開発と市場展開の加速」
18中計に化合物半導体の開発・市場展開が組み込まれ、研究開発ではGaNの6inchプロセス技術やSiC高温実装技術開発の完了も記載された。