MicronのサンジェイCEOが米国内投資への誇りを強調し、アイダホ州ボイシの工場を軸に総額2500억ドル規模の米国投資を進める。一方でHBM市場の競合関係や米政府の標的関税圧力が差別化の背景として注目される。
Micronの最高経営責任者サンジェイ・メロートラCEOは、米国内での大規模投資を前面に押し出し、Samsung ElectronicsとSK hynixを狙う差別化戦略を示した。ボイシの工事現場を視察する写真を公開し、米国投資を「最大規模の米メモリ工場」と位置づける発言を CNBC のインタビューで行った。Micronは米国内全体で総額2500億ドルを投じてメモリ工場を建設しており、ボイシ・ニューヨーク州シラキュース・クレイに大型拠点を展開している。
この投資計画は、米商務長官ラトニック氏が韓国企業を標的とする関税導入を示唆する中での発言と重なる。Micronは米国内のメモリ前工程の優位性を訴え、現地生産が価格プレミアムにつながるとの見方を示した。第1工場の稼働時期は2027年半ばへ前倒しされ、第2工場は2028年末を目標としている。ボイシの現場には約8000人の作業員が従事している。
HBM市場ではSamsungのシェアが33%へ拡大する一方、SK hynixは50%前後へ低下。MicronはHBM市場で18%のシェアを持ち、年末までにHBM製造能力をウェハ基準で月10万枚規模へ引き上げる計画を示している。HBM4の量産化が進む中、NVIDIAの次世代AIアクセラレータ向け需要の高まりと連動して、競争構図が一段と動く見通しだ。
汎用DRAMでは中国のCXMTが市場シェアを10%へ拡大。これにより3強の合計シェアが低下し、CXMTは将来的に最大60万枚へ生産能力を拡大する方針を公表している。Micronはドラマティックな供給力の改善を進め、米国内投資と組み合わせて競争力を高める狙いを示した。