GFは日米政府の戦略的投資枠組みの下、米ニューヨーク州マルタの既存拠点に300mm半導体製造ファブを段階的に新設する技術提供者および運営者に選ばれたと発表した。事業は最大210億ドル規模で、2026年内着工、2029年稼働開始を予定している。
半導体受託製造大手のGFは、日米政府の戦略的投資イニシアチブの枠組みのもと、ニューヨーク州マルタにある既存拠点で新たに300mmファブを建設する計画において、技術提供者および運営者として選定された。これにより同イニシアチブに基づく初の半導体分野投資が実現する。
事業総額は最大で210億ドルに達する見込みで、初期投資として約100億ドルを投入して1棟目のファブを建設する。建設地はマルタ拠点の既存インフラを活用できる許認可済みの用地で、工期の短縮が期待される。
着工時期は2026年内を想定し、2029年の稼働開始を目指す。
この取り組みは自動車・産業機器・通信インフラ分野の基盤半導体の安定供給を目的とし、日米が協力して信頼性の高い供給体制を構築するねらいがある。