日本が米国の半導体工場に最大210億ドルを投資、GFが300mmファブ2棟を新設・運営へ

GlobalFoundries(GF)は日米政府の戦略的投資イニシアチブに基づき、米国ニューヨーク州マルタに建設される300mmウェハ対応の半導体工場2棟の技術提供者および運営者に選定された。日本側が投資資金を提供し、GFが差別化された半導体技術と運営能力を提供する。

事業総額は最大210億ドル規模。まずは初期投資として約100億ドルを投じ、GFの Fab 8 の拠点に1棟目のファブを建設する。用地は許認可済みであり、2026年内に着工、2029年の稼働開始を予定する。追加で約100億ドルが投資された場合には2棟目のファブも建設される計画だ。

1棟目のファブが完全稼働時に年間約90万枚の300mmウェハ生産能力をもたらす見込み。第2フェーズで2棟目が実現すれば、合計で年間最大約180万枚の生産能力になる。建設地の既存インフラを活用するため工期短縮が見込まれる。

東京エレクトロンが新ファブの立ち上げに協力し、装置・技術面での支援が見込まれる。ルネサスエレクトロニクスは新ファブの生産能力を自社の生産基盤として活用する予定。AppleやGMなども米国内の半導体製造能力拡大を支持している。