日本がニューヨーク州に半導体工場を建設する計画へ最大210億ドルを投資することで日米両政府が合意した。今回の計画を含めた投資総額は約1190億ドルに達するという。
日本はニューヨーク州に半導体工場を建設する計画について、最大210億ドルを投資することで日米両政府が合意したと発表した。赤沢亮正経産大臣はこの計画がAI時代の競争優位の確保に寄与するとコメントした。
これまで日本はアメリカが設定した高関税を引き下げる条件として、総額約5500億ドルの投資を合意しており、今回の案件を含めた投資総額はおよそ1190億ドルとなる見通しとされている。
今回の発表により、日本政府と米国政府の協力の下、ニューヨーク州での半導体工場建設が進むことになる。企業名や具体的な出資形態、工事時期などの詳細は記事中で明示されていない。