米日両政府が対米投資第3弾として、ニューヨーク州に直径300ミリウエハー対応の半導体工場を新設し、2029年の稼働を目指す。日本政府は最大210億ドルを投じる予定。
日米両政府は対米投資の第3弾として、ニューヨーク州で半導体製造プロジェクトを実施することを発表した。新設工場は直径300ミリメートルのウエハーに対応し、2029年の稼働を目指す。
新設・運営はグローバルファウンドリーズ（GF）が担い、まず約100億ドルを投じてGFの拠点内に1棟を建設。26年に着工し、29年の稼働開始を想定する。生産能力は年産約90万枚、将来は同規模の2棟目建設も計画される。
日本政府はこの投資に対し最大210億ドルを支援する見通しで、半導体と電力の安定供給によるAI時代の競争力強化を狙う。協議ではベンダー・サプライヤー選定時に日本企業を優先する条件がMOIに盛り込まれている。
装置・部素材の供給には東京エレクトロン、ＳＣＲＥＥＮホールディングス、東京応化工業が関与し、半導体の購買にはルネサスエレクトロニクスが関心を示している。新設工場は日米共同保有となる。