2026年9月28日、中国メディアが、サムスン電子が日本の新工場へ向け設備搬入を前倒しする計画と、SKハイニックスが日本でメモリ半導体工場の基礎工事を着手したと報じた。
中国メディア中新経緯は、AI向けメモリー需要の急増を背景に、サムスン電子が韓国平沢市の第5キャンパス（P5）で最初の量産ライン（Ph1）の設備搬入を前倒しする方向で主要装置メーカーと協議していると伝えた。
P5は次世代半導体生産拠点で、28年の稼働を目指しているとされる。今回の前倒しは、AI分野で高付加価値のDRAMやNAND型フラッシュメモリーの需要拡大に対応する狙いとみられるとのこと。
一方、新浪経緯は韓国メディア SME Daily の報道として、SKハイニックスが日本の東北地方でメモリー半導体工場建設に向けた基礎工事を着手したと伝えた。工場が単独か日本のキオクシアとの合弁かは不明だが、インフラ整備はすでに始まっているという。
報道では、約1カ月前に日本での工場建設を「検討中」と説明していたSKハイニックスの発言と合わせ、両社の動きがメモリ工場建設競争を一段と加速させていると指摘されている。