世界最大級の半導体工場構想「Terafab」が自由電子レーザー（FEL）を核心技術として採用する計画を公表。総額168億ドルの初期投資でテキサス州の跡地に建設を進め、ASMLの従来型独占体制に変化をもたらす可能性が示唆されている。
テラファブ（Terafab）構想は、SpaceXとTeslaを率いるイーロン・マスクの提案に基づく超巨大半導体工場として位置づけられ、初期投資として約168億ドルを計上している。年間1テラワット超のAI計算資源供給を目指す同計画は、EUV光源として自由電子レーザー（FEL）を採用する構想を示している。
従来型のLPP方式はスズ汚染や低エネルギー変換効率といった限界があったのに対し、FELは高エネルギー電子から直接コヒーレント光を発生させ、汚染を回避しつつエネルギー効率を従来比で大幅に改善できると説明されている。
この構造変化はASMLが長らく支配してきたEUV露光市場の独占を崩し、光源とスキャナーのモジュール分断を促す可能性があるとされる。日本企業にとっては従来のLPP部材市場の縮小リスクがある一方で、ビームライン分配光学系や超伝導加速空洞、超高真空排気システムなど新たな市場機会が生まれる可能性が指摘されている。