AIデータセンタのメガワット級電力変換向けに、650V耐圧GaNデバイスを両面冷却8×8mmパッケージで提供するサンプル出荷を開始した。新製品TP65H020G4PLSGBDは20mΩのオン抵抗を実現する。
ルネサス エレクトロニクスは、AIデータセンタ向けの800V高電圧直流アーキテクチャに適合する両面冷却対応の650V耐圧GaNデバイスのサンプル提供を開始した。8×8mmの小型パッケージで、TOLTパッケージと比べて実装面積を大幅に削減できる点が特徴で、量産開始は2027年半ばを予定している。
新製品はGen IV PlusGaNアーキテクチャを採用し、最大700V動作に対応。オン抵抗は20mΩと低く、パッケージはPQFNフットプリントを採用している。両面放熱設計により熱設計の課題を緩和し、800V系のIBC降圧ステージやBBU/CBUなどの用途に適する。
同社はこの新製品を用いたリファレンスデザインを検証済みで、LLC直流トランス構成で2.6kW/in³の電力密度を達成。今後はデータセンタのOEM・ODM向けにサンプル出荷を継続し、800Vアーキテクチャへの移行を支援する。
なお、OCP Global Summitで本製品の展示を2026年10月のサンノゼ開催時に行う予定で、デバイスと周辺ソリューションの組み合わせによる高密度電力変換の実装例が紹介される見込みである。