EUVレジスト高感度化に向けた下層膜材料の共同開発・実用化

「日本曹達株式会社（本社：東京都千代田区／代表取締役社長：阿賀英司、以下「日本曹達」）と、学校法人関西大学（所在地：大阪府吹田市／学長：高橋智幸、以下「関西大学」）は、先端半導体の製造に用いられるEUV（極端紫外線）レジストの感度を高める、新たな下層膜材料を共同で開発しました。」