読む価値
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0〜100。会社の良し悪しではなく、読む価値の大きさです。向き
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会社の説明から読み取った方向です。規模
20
％以上のEUV露光量低減（同程度の膜厚減少を得るために必要な露光量）書きぶり
条件付き
どれだけ断定的に書かれているかです。発表された内容
EUV増感機能を持つポリマーの下層膜材料（EUVレジスト用下層膜）
適用分野（この発表が対象とする用途）
先端半導体製造、EUVリソグラフィー、EUVレジスト、微細パターン形成
会社が数字で示したこと
定量的な効果
同程度の膜厚減少を得るために必要なEUV露光量を20％以上低減（初期評価）
相手先と当社の関係
日本曹達4041
当社との関係
日本曹達と関西大学が共同開発。資本関係・人的関係についての記載はない。
相手先学校法人関西大学
所在地：大阪府吹田市、学長：高橋智幸。化学生命工学部教授の工藤宏人が研究に参加。
この発表で、会社は契約金額・提供価格・業績への影響のいずれにも触れていません。
出典（会社が根拠として挙げた資料）
ASML社『2025 Annual Report on IFRS』
| 項目 | 内容 |
|---|---|
| 対象製品・サービス名 | EUV増感機能を持つポリマーの下層膜材料（EUVレジスト用下層膜） |
| 相手先 | 学校法人関西大学 |
| 相手先の概要 | 所在地：大阪府吹田市、学長：高橋智幸。化学生命工学部教授の工藤宏人が研究に参加。 |
| 当社との関係 | 日本曹達と関西大学が共同開発。資本関係・人的関係についての記載はない。 |
| 適用分野 | 先端半導体製造、EUVリソグラフィー、EUVレジスト、微細パターン形成 |
| 定量的な効果 | 同程度の膜厚減少を得るために必要なEUV露光量を20％以上低減（初期評価） |
| 出典 | ASML社『2025 Annual Report on IFRS』 |
この書類が述べていない項目（11件）
契約金額提供価格契約締結日提供開始日受賞名・認証名授与・認証機関登録番号・有効期限拠点所在地拠点の規模利用実績業績への影響
会社がこの書類で述べていない項目です。空欄にしたり、他の資料や推測で補ったりはしません。
会社が挙げている理由
会社自身の説明です。数値から推測したものではありません。EUVを吸収して発生した二次電子がレジスト中の光酸発生剤などに作用し、化学反応を促進するため。今後は材料の組成・構造の最適化や、半導体製造プロセスへの適用可能性、量産性・品質安定性・供給体制を検討するとしている。
このページの読み方
これは書類そのものではありません会社が提出した開示をKomoriが読み、要約しています。数値は会社が述べたとおりで、監査を受けたものではありません。
重みは評価ではありません会社が市場に伝えていた内容をどれだけ変えるかを測ったものです。株式に対する見方ではありません。
訂正されることがあります会社が同じ開示を出し直した場合、このページは訂正後の内容から作り直され、訂正番号が繰り上がります。