新電元工業は650V耐圧SiCショットキーバリアダイオードを発表し、発売時期は2026年9月を想定。従来のFRDと比較して順方向電圧VFを約50％低減し、リカバリ電荷量Qrrを約85％改善するなど高効率化と高周波動作を狙う。
新電元工業株式会社は650V耐圧SiCショットキーバリアダイオードを発表し、発売開始時期として2026年9月を提示している。SiCとSBD構造を組み合わせることで、従来のFRDに比べて導通損失を抑え、高効率化を実現することを狙っている。
同製品は順方向電圧VFを従来のFRD比で約50％低減する設計で、導通損失の低減に寄与するとしている。またリカバリ電荷量Qrrを約85％改善したとされ、高周波動作時のスイッチング損失低減にもつながると説明されている。さらに設計の最適化によりIRPを他社SiCショットキーバリアダイオードより改善したとされ、周辺回路のノイズ低減と小型化を後押しするとされる。
用途としてはサーバー電源や産業機器向け電源の高効率化・小型化を挙げており、民生機器やPFC回路への展開も視野に入れている。新電元工業は1949年創業のパワー半導体・スイッチング電源を主軸とする企業であり、今回の発表はデータセンター需要の拡大と省エネ要求の高まりに対応したものだとしている。