米グローバルファウンドリーズ（GF）がニューヨーク州マルタに直径300ミリメートルウエハー対応の新しい半導体工場を建設し、2029年の稼働を目指す。日本政府は最大210億ドルを支援する方針で、将来的には2棟目建設の可能性も検討される。
米GFがニューヨーク州マルタに300ミリ対応の半導体工場を新設する計画を発表した。新工場は自動車・産業機器・通信インフラ向けの半導体を生産する予定で、日米政府による対米投資パッケージの第三弾として位置づけられる。
投資はまず約100億ドルを投入してマルタ拠点内に1棟目を建設、26年に着工して29年の稼働を目指す。生産能力は300ミリ換算で年産約90万枚を見込む。将来は追加で約100億ドルを投じ、2棟目の建設も計画される。
GFは運営と技術提供を担当し、日本企業の東京エレクトロンやルネサスエレクトロニクスとの協業を拡大。日本政府は日米の半導体サプライチェーン安定化を図るべく資金供給を想定している。