日本が対米投資第3弾として210億ドルを投資し、ニューヨーク州に半導体工場を建設する計画を赤沢亮正経産大臣が明らかにした。日米戦略的投資イニシアチブの下で初の半導体製造プロジェクトとなる見通しで、AI時代の競争優位の確保が目的とされる。
日米は「対米投資」第3弾として、日本が210億ドルを投資し、アメリカ・ニューヨーク州に半導体工場を建設する計画を赤沢亮正経済産業大臣が明らかにした。工場建設に向け、両国は土地や電力の提供などの支援を行う見通しである。
この事業は日米戦略的投資イニシアチブのもとで初めて実施される半導体製造プロジェクトという位置づけで、赤沢大臣はAI時代の競争優位確保に日米が協力して取り組むことの大きな意義を強調した。
過去には第1弾として人工ダイヤモンドの製造やガス火力発電所など、第2弾として小型原子炉の建設が発表されており、今回が第3弾となる。
一方、トランプ大統領がSNS上で「アメリカに対するさらなる巨額投資だ」と歓迎の意向を示したほか、去年7月に日米で合意した高関税の引き下げ条件のもと、日本は約5500億ドル＝総額80兆円を投資するとされている。