台湾Nanya TechnologyがEUV露光を備えた先端D램工場「Fab 5A」を建設するため、2026年から2029年にかけて総額約3466億台湾ドルを投資する。2027年下半期のウェハー生産開始を目指し、生産能力は2029年に最大月産4万5,000枚規模へ引き上げる。
グローバルD램市場で5位の台湾Nanya Technologyは、EUV露光装置を導入した先端D램工場を建設する計画を発表した。総投資額は約3466億台湾ドル（約107億ドル）に達し、2026年から2029年にかけて段階的に投入する。
新工場Fab 5Aは台湾国内で建設中で、1c、1d、1eといった10ナノ級プロセスを順次適用。2027年下半期からウェハー生産を開始し、2028年には月産3万枚、2029年には月産3万5,900枚まで拡大し、最大で月産4万5,000枚を目指す。
Nanyaは設備投資額を従来の520億台湾ドルから697億台湾ドルへ34％増額。EUV導入と10ナノ級プロセス転換が中心で、DDR4/DDR3など旧型D램の供給不足を背景に需給を強化する方針。
市場の見通しとして、後発勢のCXMTなどが価格競争力を高めるほか、サムスン電子・SKハイニックス・Micronのビッグ3が高付加価値製品へシフトする中、先端D램の需要は堅調に推移すると予想される。