日本電子は先端半導体の不良解析向けに、低角度イオンミリング走査電子顕微鏡「HAXIS」の販売を開始した。PVC検出技術を結集した新しい半導体不良解析プラットフォームで、試料表面のダメージを抑えつつ高再現性の観察を目指す。
日本電子は10月5日に、先端半導体の不良解析を目的とした低角度イオンミリング走査電子顕微鏡「HAXIS」の販売を開始した。Arイオンビームを用いる独自の剥離加工技術により、加工ダメージを抑えつつ平坦な加工面を形成できる点が特徴とされている。
同製品はPVC（Passive Voltage Contrast）検出技術を長年研究してきた成果を集約した新しい半導体不良解析プラットフォームとされ、検出器と試料前処理技術の高度化によってPVCの安定かつ高再現性観察を実現することを目指している。
不良解析の過程では、不良箇所の特定から物理解析・原因究明まで多段階の解析が必要とされるが、HAXISは不良箇所の絞り込みを迅速かつ高精度に行うことで解析時間の短縮に貢献する可能性がある。Arガスの採用により運用コストの低減も期待される。