SK Hynixが中長期の生産基盤強化を目的に54兆ウォンを投資して新ファブを建設すると発表した。龍仁のY2と清州のM17の計画で、DRAMとNANDの生産を拡大する。
韓国のSK HynixはAI需要の拡大に対応するため、54兆ウォン（約6兆円）を新たなメモリ製造拠点の建設に投資する計画を明らかにした。投資は龍仁のY2と清州のM17の2拠点で実施され、HBMを含むDRAMやNANDの生産能力を中長期で強化する狙いが示された。
龍仁Y2では35.2兆ウォン（約4兆円）を投資し、DRAM生産拠点としての新設を予定している。総床面積は34万1000坪（約113万m2）で、2027年7月に着工、2029年6月に最初のクリーンルームを開設して高帯域幅メモリを含む次世代DRAMの生産を開始する見込みだ。
清州M17には19.1兆ウォン（約2兆円）を投資し、新工場として建設する。M17は総面積約68万平方メートルで、2027年2月に着工、2028年12月に最初のクリーンルームを開設する予定となっている。既存のM11、M12、M15のNAND工場と連携して効率的な生産が見込まれる。
記事では、龍仁クラスターへの長期投資計画としてY1を含む複数工場のマスタープランが示され、今後の追加着工や連携を通じてAI向けメモリ供給能力の安定化を目指すと説明された。市場調査関係者は2029年以降の需要を見越した動きだと評価している。