韓国のSKハイニックス傘下のソリダイムが米国でNAND型フラッシュ工場の建設を検討している。候補地にはニューヨーク州北部が有力とされ、計画はまだ合意に至っていないという。
韓国の半導体大手SKハイニックス傘下のソリダイムが、米国でNAND型フラッシュメモリ工場の建設を検討していることが関係者への取材で伝えられた。候補地としてニューヨーク州北部が有力視されている。
この計画は別途、ソリダイムがインテルのオハイオ州拠点でメモリ半導体の生産を検討する協議とは別案件とされ、複数の話が並行して進んでいる状況だとされる。
米国内に工場を新設すれば、ソリダイムの NAND 生産は中国の大連工場依存を減らせる可能性が指摘されているほか、米国による追加関税のリスクや対中規制の影響を回避することにつながるとされる。ただし計画の具体的な内容については関係者の間で合意に至っていないとされた。
SKハイニックスは子会社のソリダイムが競争力強化に向けてさまざまな選択肢を検討していると説明しており、現時点で具体的な計画は決まっていないという。