ルネサスエレクトロニクス（6723）・施策削除
16/14ナノメートル世代フラッシュ内蔵マイコン技術
FY2016に初出。2回の記載のうち1回が「削除」で、最初の「削除」はFY2017。直近の記載はFY2017。
2記載
3年にわたる
0うち適時開示
動きの推移
同じテーマの他社
16/14nmフラッシュ内蔵マイコン技術の実用化1社が書いているテーマ・逆風0社・追い風1社
このテーマで動きを比べられる他社は、まだありません。
全記録提出書類・適時開示・報道、新しい順
- FY2017削除有価証券報告書FY2017本文では、16/14ナノメートル世代フラッシュ内蔵マイコン技術に関する記載を確認できない。
- FY2016初出有価証券報告書
「当社グループは、回路線幅が16/14ナノメートル世代以降のフラッシュメモリ内蔵マイコン向けに、これまでの28ナノメートル世代マイコンにおける高速読み出し動作や高信頼性を維持しながら、大幅なメモリ容量の増加を実現するフラッシュメモリセル技術を世界で初めて開発しました。」
フラッシュメモリを2次元構造から3次元構造へ進化させ、100メガバイト級のメモリと28ナノメートル世代比4倍以上の処理性能を持つマイコンに向けた技術として、平成35年頃を目処に16/14ナノメートルプロセス製品の実用化を目指している。