分子動力学計算によるSiC欠陥メカニズム解明

機械学習を活用した大規模な分子動力学計算により、SiCデバイスの製造条件と結晶欠陥の発生メカニズムを解明し、半導体製造プロセスへの計算科学の適用を進める研究テーマ。