GaN-HEMT向けダイヤモンド放熱・接合技術の開発

GaN-HEMTパワーアンプの発熱を低減するため、単結晶ダイヤモンドとSiC基板の常温接合やダイヤモンド表面膜形成を開発する取り組み。高出力化や気象レーダーの観測性能向上につながる熱制御技術を対象とする。