SiC・GaN関連のパワー半導体をめぐる本命株の状況と、EV・AIデータセンター需要拡大・国策推進による展開を整理します。大手4社の動向と、後半の中小型株・材料関連の動きにも触れています。
パワー半導体は電力を変換・制御する役割を担い、EVの駆動インバーターやデータセンターの電源等で重要性を高めています。SiCとGaNは高電圧耐性と低損失・高速切替に強く、それぞれ用途が異なる場面で採用が進んでいます。
SiCは耐圧と熱設計の優位性から車載や鉄道・太陽光の電力変換に広く用いられ、GaNは電源の小型化・高効率化に適します。用途は600V級を含む複数レンジで使い分けられ、単純に600Vで一律に語れない点が特徴です。
大型銘柄ではROHMがサーバー向けSiパワーデバイスの売上拡大を確認しており、車載向けの伸びも続く見通しです。一方、 BMWの次世代EVへのSiC採用の発表や富士電機のUPS需要と半導体業績の別動を確認できます。
ルネサスはGaN製品の量産へ移行し、AIデータセンター向けの650V級双方向スイッチを発表しました。2027年半ばの量産計画も示されており、AI需要と車載需要の両方を睨んだ戦略が進行中です。
中小型銘柄では新電元工業・サンケン電気などが車載向けの要素を持ち、モジュール・電源側の企業がSiC関連で恩恵を受けやすいとされます。材料・基板・加工装置の黒子銘柄も、SiCの需要拡大に連動して動く可能性があります。