プラズマを用いた半導体微細加工の現場で活躍するTEL宮城の山澤陽平氏と、エッチング・成膜・クリーニングという三つの核心工程を解説するインタビュー。日本人によるリアクティブイオンエッチングの発見と、研究開発に対するTELの取り組みが描かれる。宜しくお願いしたい点として、次世代装置開発と若手育成の現場感が伝わる。
固体・液体・気体に続く“物質の第4の状態”であるプラズマは、半導体製造でウェーハ表面を削るエッチング、薄膜を積み重ねる成膜、加工後の汚れを除去するクリーニングの三工程で用いられ、特にドライエッチングは膜を正確に垂直に削ることができる。東京エレクトロン宮城ではこれらのエッチング装置を開発・製造している。エッチングの速度を10倍以上高める効果もあり、微細化・高性能化には欠かせない技術と説明される。
プラズマエッチング技術の発展として、イオン衝撃とラジカルの双方の長所を活かすリアクティブイオンエッチングが挙げられる。1973年に日電バリアンの細川直吉さんと松崎励作さんが発見し、日本人の貢献として評価されている。この現象を用いることで、膜だけを選択的に削る加工が実現し、経済的な微細加工に寄与したとされる。
山澤陽平氏は1999年入社、宮城のチーフエンジニアとしてRFプラズマ装置の研究開発を主導。博士号を取得した2001年以降、計測・制御・プラズマ源の研究開発に従事し、若手にも研究機会を提供する風土のある職場環境を強調している。高調波の原理解明などの成果を挙げ、入社後には複数の特許出願の経験も語っている。
現在は次世代装置の開発部門でチーフエンジニアを務め、定年までの時間を見据えつつ新技術の実装・社会実装の機会を模索している。TELの研究投資は売上比で10%と高く、開発投資の重要性を強調する。
インタビューは TELのウェブブログ形式で公開され、プラズマ研究の面白さと社会実装の速さ、研究を支える組織風土が描かれている。