ロームがSiCパワー素子の裏面電極を低抵抗化する特許を取得したと報じられている。対象は裏面電極の材質・構造に関する技術で、抵抗低減を意図したものとされる。
ロームがSiCパワー素子の裏面電極を低抵抗化する特許を取得したと伝えられている。
本件はSiCパワー素子における裏面電極の電気的特性を改善する技術領域に関するものであり、特許の取得が報じられている。
記事は特許の名称や出願内容、対象となるデバイスの種別に触れており、今後の技術展開や適用分野については言及されていない。