米国での前工程メモリファブ建設を巡る動きとして、SKハイネックスとインテルが連携して現地ファブ建設を検討・投資を進める中、インディアナ州ウェストラファイエットでDRAM前工程の施設に40億ドルを投じる計画が先月発表・着工した。一方、米国政府は国内生産での関税免除方針を強調しており、投資拡大の圧力が高まっている。
SKハイニックスはインテルと協力して米国内でメモリ前工程ファブの建設を検討しており、米政府の圧力の中で現地投資を進めている。先月、インディアナ州ウェストラファイエットに40億ドルを投じ、DRAMの先端パッケージング施設の建設を開始したことが報じられた。
米トランプ政権は「米国で生産すれば関税はない」という方針を繰り返し述べており、米国内投資を継続させることで関税回避を狙う姿勢を示している。これにより、米国内の半導体投資が政治的にも重要な要素となっている。
米国内で前工程ファブを完成させることで、DRAMを米国内で生産・供給する体制を整える狙いがある一方、前工程ファブの採算性には慎重論もあり、オハイオ州の既存ファブ建設遅延の回避や費用負担が課題として指摘されている。
現在の国内外の投資動向を踏まえると、米国内での前工程ファブ建設の実現性は政府承認と費用対効果次第という見方が強い。SKハイニックスは国内拠点強化を進めつつ、他地域での検討も継続している。