Establishing and implementing technology to planarize single-crystal SiC wafer surfaces
First written in FY2018. 4 of 7 entries say "Advanced", first in FY2019. Latest entry: FY2022.
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- FY2022AdvancedAnnual report
「とりわけ、次世代半導体であるSiCウエハー製造部材向けに開発した新たな黒鉛材料につきまして、顧客における評価が進行しており、量産試作フェーズへ移行しました。」
SiCウエハー製造部材向け新黒鉛材料について、顧客評価から量産試作フェーズへ移行した。 - FY2021AdvancedAnnual report
「とりわけ、SiCウエハー製造部材向けに新たに開発した黒鉛材料につきましては、製品化に向けた最終段階として、量産試作した製品のユーザー評価が進められており、着実に進展いたしました。」
SiCウエハー製造部材向け黒鉛材料は、量産試作後のユーザー評価が製品化に向けた最終段階まで進んだ。 - FY2020RestatedAnnual report
「現在は市場流通サイズに対応すべく大口径SiCウエハーの低コストでの平坦表面処理についても実装に向けた技術開発を進めております。また、これらSiCウエハーの用途であるパワーデバイスの製造工程にて使用される黒鉛製品の技術開発ならびに製品化を同時に加速進行しております。」
大口径・低コストのSiCウエハー表面処理と、パワーデバイス工程向け黒鉛製品の開発・製品化を継続している。 - FY2020-Q3RestatedAnnual report
「なお、SiC（炭化ケイ素）パワーデバイスの信頼性向上に寄与する独自技術「単結晶SiCウエハー表面処理技術」につきましては、ユーザーや研究機関との連携のもと、ウエハー評価技術への展開を進めるとともに、ウエハー特性および機能向上の実現を目的とする用途への技術活用など、今後のパワー半導体市場の立ち上りスピードに合わせるべく取り組みを推進しております。」
単結晶SiCウエハー表面処理技術について、ユーザー・研究機関との連携による評価技術への展開と、ウエハー特性・機能向上用途への活用を引き続き進めている。 - FY2020-Q1AdvancedAnnual report
「なお、SiC（炭化ケイ素）パワーデバイスの信頼性向上に寄与する独自技術「単結晶SiCウエハー表面処理技術」につきましては、ユーザーや研究機関との連携のもと、ウエハー評価技術への展開を進めるとともに、ウエハー特性および機能向上の実現を目的とする用途への技術活用など、今後のパワー半導体市場の立ち上りスピードに合わせるべく取り組みを推進しております。」
確立済みのSiCウエハー表面処理技術について、ユーザー・研究機関との連携を通じたウエハー評価技術への展開と、ウエハー特性・機能向上を目的とする用途への活用を進めている。 - FY2019AdvancedAnnual report
「省エネルギーへの貢献が期待されるSiC（炭化ケイ素）パワーデバイスの信頼性向上に寄与する独自の技術として「単結晶SiCウエハー表面処理技術」を確立。現在は市場流通サイズに対応すべく大口径SiCウエハーの低コストでの平坦表面処理についても実装に向けた技術開発を進めております。また、これらSiCウエハーの用途であるパワーデバイスの製造工程にて使用される黒鉛製品の技術開発ならびに製品化を同時に加速進行しております。」
SiCウエハー表面処理技術の確立後、大口径・低コスト処理の実装開発と、パワーデバイス工程向け黒鉛製品の製品化を加速している。 - FY2018First statedAnnual report
「We established proprietary “single-crystal SiC wafer surface-planarization technology” that is expected to improve the reliability of SiC (silicon carbide) power devices and contribute to energy conservation. The technology enables complete removal of the altered layer previously remaining on wafer surfaces as a result of mechanical processing.」
The Company established single-crystal SiC wafer surface-planarization technology to improve the reliability of SiC power devices and is developing its implementation for low-cost processing of large-diameter wafers.