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V・cm（Vπ・L値）書きぶり
条件付き
どれだけ断定的に書かれているかです。発表された内容
PLZT光変調器単結晶PLZT薄膜ウェハ
適用分野（この発表が対象とする用途）
AIサーバーデータセンタ高速大容量光通信システム光通信光量子コンピュータ
提供開始日2028年（サンプル出荷予定）
会社が数字で示したこと
定量的な効果
Vπ・L値：0.2 V・cm
光損失：0.9 dB/cm
従来の一般的なLN変調器と比較して電気光学効果10倍
最大1W（30dBm）の光入力耐性
3dB帯域幅：25GHz
100GHz級の伝送速度を持つチップを開発予定
利用実績
エピフォトニクス株式会社は2022年からサンプル出荷を開始
相手先と当社の関係
湖北工業6524
当社との関係
エピフォトニクス株式会社は湖北工業株式会社の100%子会社。EpiPhotonics USA, Inc.も開発主体として記載されている。
拠点（この発表が示した場所）
エピフォトニクス株式会社：神奈川県大和市、EpiPhotonics USA, Inc.：米カリフォルニア州San Jose市
業績への影響
2026年以降の本格的な事業化を目指す。今回の開発成果による業績への具体的な影響額は記載なし。
会社は契約金額・提供価格には触れていません。
出典（会社が根拠として挙げた資料）
Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO) 2026、総務省『グリーン社会に資する先端光伝送技術の研究開発』委託研究開発（JPMI00316）
| 項目 | 内容 |
|---|---|
| 対象製品・サービス名 | PLZT光変調器、単結晶PLZT薄膜ウェハ |
| 当社との関係 | エピフォトニクス株式会社は湖北工業株式会社の100%子会社。EpiPhotonics USA, Inc.も開発主体として記載されている。 |
| 提供開始日 | 2028年（サンプル出荷予定） |
| 適用分野 | AIサーバー、データセンタ、高速大容量光通信システム、光通信、光量子コンピュータ |
| 拠点所在地 | エピフォトニクス株式会社：神奈川県大和市、EpiPhotonics USA, Inc.：米カリフォルニア州San Jose市 |
| 定量的な効果 | Vπ・L値：0.2 V・cm、光損失：0.9 dB/cm、従来の一般的なLN変調器と比較して電気光学効果10倍、最大1W（30dBm）の光入力耐性、3dB帯域幅：25GHz、100GHz級の伝送速度を持つチップを開発予定 |
| 利用実績 | エピフォトニクス株式会社は2022年からサンプル出荷を開始 |
| 業績への影響 | 2026年以降の本格的な事業化を目指す。今回の開発成果による業績への具体的な影響額は記載なし。 |
| 出典 | Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO) 2026、総務省『グリーン社会に資する先端光伝送技術の研究開発』委託研究開発（JPMI00316） |
この書類が述べていない項目（9件）
相手先相手先の概要契約金額提供価格契約締結日受賞名・認証名授与・認証機関登録番号・有効期限拠点の規模
会社がこの書類で述べていない項目です。空欄にしたり、他の資料や推測で補ったりはしません。
会社が挙げている理由
会社自身の説明です。数値から推測したものではありません。単結晶PLZT薄膜の成膜技術とデバイス構造を最適化したため。
このページの読み方
これは書類そのものではありません会社が提出した開示をKomoriが読み、要約しています。数値は会社が述べたとおりで、監査を受けたものではありません。
重みは評価ではありません会社が市場に伝えていた内容をどれだけ変えるかを測ったものです。株式に対する見方ではありません。
訂正されることがあります会社が同じ開示を出し直した場合、このページは訂正後の内容から作り直され、訂正番号が繰り上がります。