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決算説明資料6503三菱電機電機・精密

三菱電機 IR Day 2026 説明会資料(半導体・デバイス事業)公開のお知らせ

半導体・デバイス事業について、新たな中期事業戦略と2030年度の財務目標を示した。パワーデバイスの高付加価値化、光デバイスの生産能力増強、ローム・東芝デバイス&ストレージとのパワー半導体事業統合に向けた協議開始も説明している。

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規模
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兆円(2030年度売上高目標)
書きぶり
確定を避けている
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この資料の中身

中期経営計画説明資料会社の説明として取り出せた項目 9 件
決算の数字(この資料の要点は下の説明です)
売上高2,871億円25年度実績、半導体・デバイス事業
営業利益463億円25年度実績、調整後営業利益
営業利益率16.1%25年度実績、調整後営業利益率
通期業績予想
半導体・デバイス事業
売上高
3,000億円
調整後営業利益
430億円
調整後営業利益率
14.3%
パワーデバイス事業売上高
2,270億円
高周波・光デバイス事業売上高
730億円
この資料で会社が説明したこと
増減要因の内訳数字が動いた理由として、会社が挙げたものです。
調整後営業利益率について、為替変動、売上拡大、プロダクトミックス転換、生産性向上などの要因を図示しているが、要因別の金額は非開示
業績見通しの前提予想を立てるときに、会社が置いた条件です。
  • 為替レート(26年度)150円/US$、175円/Euro、21.5円/人民元
  • 為替レート(30年度)140円/US$、160円/Euro、19.5円/人民元
  • EMLチップ生産能力29年度までに25年度比3倍超、20年度比20倍
  • HV生産能力23年度から27年度に2.3倍
新しい施策
  • パワーデバイスの高耐圧製品ラインアップ・供給体制強化
  • SiCの8インチ化とコスト競争力強化
  • EMLチップ生産能力の29年度までの25年度比3倍超への増強
  • 次世代CPO向け光デバイスの市場投入
  • ローム・東芝デバイス&ストレージとのパワー半導体事業・経営統合に向けた協議開始
主要KPI会社が経営の目安として重視している指標です。
  • パワーモジュール グローバルシェア2位
  • IPM グローバルシェア1位
  • VSC型HVDC向けパワーモジュール グローバルシェア1位
  • データセンター向けEMLチップ グローバルシェア1位
  • データセンター向けEMLチップ累計出荷数1億個25年度
  • 5G基地局用GaNモジュール累計出荷数300万個25年度
セグメント別実績
パワーデバイス事業
売上高
2,313億円25年度実績
高周波・光デバイス事業
売上高
554億円25年度実績
中期経営計画の目標
目標年度2030年度
半導体・デバイス事業売上高
0.4兆円
調整後営業利益率
20%
ROIC
12%
パワーデバイス事業売上高
3,000億円
高周波・光デバイス事業売上高
1,000億円
実績との対比25年度実績として売上高2,871億円、調整後営業利益率16.1%、ROIC8.6%を併記
財務目標
ROIC
25年度実績8.6%
30年度目標12%
調整後営業利益率
25年度実績16.1%
26年度見通し14.3%
30年度目標20%
市場規模・シェア
  • パワーモジュール グローバルシェア2位
  • IPM グローバルシェア1位
  • VSC型HVDC向けパワーモジュール グローバルシェア1位
  • データセンター向けEMLチップ グローバルシェア1位
  • Ethernet光トランシーバー+CPO市場 CAGR27%(24年~30年)
設備投資額
400億円25年度決定、EMLチップ生産能力増強
この資料の中身
項目内容
資料の種類中期経営計画説明資料
売上高2,871億円(25年度実績、半導体・デバイス事業)
営業利益463億円(25年度実績、調整後営業利益)
営業利益率16.1%(25年度実績、調整後営業利益率)
通期業績予想半導体・デバイス事業 売上高 3,000億円 / 調整後営業利益 430億円 / 調整後営業利益率 14.3% / パワーデバイス事業売上高 2,270億円 / 高周波・光デバイス事業売上高 730億円
セグメント別実績パワーデバイス事業 売上高 2,313億円(25年度実績) / 利益 非開示 / 前年同期比 非開示 / 高周波・光デバイス事業 売上高 554億円(25年度実績) / 利益 非開示 / 前年同期比 非開示
増減要因の内訳調整後営業利益率について、為替変動、売上拡大、プロダクトミックス転換、生産性向上などの要因を図示しているが、要因別の金額は非開示
主要KPI指標名 パワーモジュール グローバルシェア / 値 2位 / 前年同期比 非開示、指標名 IPM グローバルシェア / 値 1位 / 前年同期比 非開示、指標名 VSC型HVDC向けパワーモジュール グローバルシェア / 値 1位 / 前年同期比 非開示、指標名 データセンター向けEMLチップ グローバルシェア / 値 1位 / 前年同期比 非開示、指標名 データセンター向けEMLチップ累計出荷数 / 値 1億個(25年度) / 前年同期比 非開示、指標名 5G基地局用GaNモジュール累計出荷数 / 値 300万個(25年度) / 前年同期比 非開示
業績見通しの前提項目 為替レート(26年度) / 値 150円/US$、175円/Euro、21.5円/人民元、項目 為替レート(30年度) / 値 140円/US$、160円/Euro、19.5円/人民元、項目 EMLチップ生産能力 / 値 29年度までに25年度比3倍超、20年度比20倍、項目 HV生産能力 / 値 23年度から27年度に2.3倍
中期経営計画の目標目標年度 2030年度 / 半導体・デバイス事業売上高 0.4兆円 / 調整後営業利益率 20% / ROIC 12% / パワーデバイス事業売上高 3,000億円 / 高周波・光デバイス事業売上高 1,000億円 / 実績との対比 25年度実績として売上高2,871億円、調整後営業利益率16.1%、ROIC8.6%を併記
財務目標ROIC 25年度実績 8.6% / 30年度目標 12% / 調整後営業利益率 25年度実績 16.1% / 26年度見通し 14.3% / 30年度目標 20%
設備投資額400億円(25年度決定、EMLチップ生産能力増強)
市場規模・シェア項目 パワーモジュール グローバルシェア / 値 2位、項目 IPM グローバルシェア / 値 1位、項目 VSC型HVDC向けパワーモジュール グローバルシェア / 値 1位、項目 データセンター向けEMLチップ グローバルシェア / 値 1位、項目 Ethernet光トランシーバー+CPO市場 CAGR / 値 27%(24年~30年)
新しい施策パワーデバイスの高耐圧製品ラインアップ・供給体制強化、SiCの8インチ化とコスト競争力強化、EMLチップ生産能力の29年度までの25年度比3倍超への増強、次世代CPO向け光デバイスの市場投入、ローム・東芝デバイス&ストレージとのパワー半導体事業・経営統合に向けた協議開始
この書類が述べていない項目(17件)
対象決算期経常利益純利益売上総利益率販管費当四半期3か月の実績通期予想に対する進捗率計画に対する自己評価単価と数量の指標店舗数・拠点数従業員数見通しに織り込んだリスク額年間配当配当性向自己株式取得受注高・受注残高質疑応答の論点

会社がこの書類で述べていない項目です。空欄にしたり、他の資料や推測で補ったりはしません。

会社が挙げている理由

会社自身の説明です。数値から推測したものではありません。

カーボンニュートラル、低消費電力化、AI関連投資、データセンター需要の拡大を成長機会として挙げている。また、中国競合の台頭や欧米競合の伸長に対応し、競争力・コスト競争力・供給体制を強化するためとしている。

このページの読み方

これは書類そのものではありません会社が提出した開示をKomoriが読み、要約しています。数値は会社が述べたとおりで、監査を受けたものではありません。
重みは評価ではありません会社が市場に伝えていた内容をどれだけ変えるかを測ったものです。株式に対する見方ではありません。
訂正されることがあります会社が同じ開示を出し直した場合、このページは訂正後の内容から作り直され、訂正番号が繰り上がります。
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