発表された内容
波長1,550 nmのTEモード光に対する伝搬損失は1.6 dB/cm程度。膜厚20 nm以下の残膜制御が可能。UV-NILによる導波路は90 nm CMOSプロセスラインおよび電子線描画による導波路と同程度の性能。
UV-NILはARグラスやDNAシーケンサーなどの実用的な量産技術として導入実績があると記載。ただし本開発プロセスの導入社数・利用件数は非開示。
東京科学大学と東京応化工業株式会社が共同研究を実施。東京科学大学内の東京応化工業未来創造協働研究拠点で研究を行った。開発樹脂は東京応化工業株式会社から、プロセスレシピは東京科学大学から外部提供可能。EV Group社はSmartNIL®技術およびEVG NIL UV/AS5の提供元として記載。
東京科学大学は大学。東京応化工業株式会社は共同研究者として記載。EV Group社は半導体装置メーカー。所在地・代表者・資本金・設立年は東京応化工業株式会社およびEV Group社について記載なし。
東京工業大学「東工大の星」特別賞（STAR）
東京工業大学
東京科学大学内（詳細住所は非開示）
売上・利益への具体的な影響は記載なし。将来的な産業応用や標準プロセスラインへの導入が期待されると記載。
会社は契約金額・提供価格には触れていません。
SPIE Photonics West 2025、Silicon Photonics XX 13371-42 (2025)
| 項目 | 内容 |
|---|---|
| 対象製品・サービス名 | シリコンフォトニクスプロセス、シリコンフォトニクスプロセスに適した光硬化性樹脂、開発したシリコンフォトニクスのプロセスレシピ、SmartNIL®技術 |
| 相手先 | 東京科学大学、東京応化工業株式会社、EV Group社 |
| 相手先の概要 | 東京科学大学は大学。東京応化工業株式会社は共同研究者として記載。EV Group社は半導体装置メーカー。所在地・代表者・資本金・設立年は東京応化工業株式会社およびEV Group社について記載なし。 |
| 当社との関係 | 東京科学大学と東京応化工業株式会社が共同研究を実施。東京科学大学内の東京応化工業未来創造協働研究拠点で研究を行った。開発樹脂は東京応化工業株式会社から、プロセスレシピは東京科学大学から外部提供可能。EV Group社はSmartNIL®技術およびEVG NIL UV/AS5の提供元として記載。 |
| 提供開始日 | 2025年1月25～30日にSPIE Photonics Westで研究成果を報告（予定・開催期間として記載）。樹脂サンプルおよびプロセスレシピは外部提供可能だが、提供開始日は非開示。 |
| 適用分野 | シリコンフォトニクス、集積フォトニクス、光回路、DFBレーザーの回折格子形成、グレーティングカプラ形成、データセンター、データ伝送、光電融合 |
| 受賞名・認証名 | 東京工業大学「東工大の星」特別賞（STAR） |
| 授与・認証機関 | 東京工業大学 |
| 拠点所在地 | 東京科学大学内（詳細住所は非開示） |
| 定量的な効果 | 波長1,550 nmのTEモード光に対する伝搬損失は1.6 dB/cm程度。膜厚20 nm以下の残膜制御が可能。UV-NILによる導波路は90 nm CMOSプロセスラインおよび電子線描画による導波路と同程度の性能。 |
| 利用実績 | UV-NILはARグラスやDNAシーケンサーなどの実用的な量産技術として導入実績があると記載。ただし本開発プロセスの導入社数・利用件数は非開示。 |
| 業績への影響 | 売上・利益への具体的な影響は記載なし。将来的な産業応用や標準プロセスラインへの導入が期待されると記載。 |
| 出典 | SPIE Photonics West 2025、Silicon Photonics XX 13371-42 (2025) |
この書類が述べていない項目（5件）
会社がこの書類で述べていない項目です。空欄にしたり、他の資料や推測で補ったりはしません。
会社が挙げている理由
会社自身の説明です。数値から推測したものではありません。シリコンフォトニクス分野では、NILの大面積転写性と高スループット性を活用でき、コスト面でも優位性があると考えられるため。また、光電融合を見据えたシリコンフォトニクス分野の拡大に貢献できると説明している。