読む価値
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会社の説明から読み取った方向です。規模
7.6
nm（線幅相当）書きぶり
条件付き
どれだけ断定的に書かれているかです。発表された内容
PS-b-(PGMAF-r-PMMA)（高分子ブロック共重合体）
適用分野（この発表が対象とする用途）
半導体微細加工、ボトムアップ型半導体微細加工、誘導自己組織化による回路パターン形成
会社が数字で示したこと
定量的な効果
線幅7.6 nm相当、周期長15.1 nmの線状構造を形成。化学パターンのない薄膜では周期長12.3–18.6 nmの垂直ラメラ構造を形成。
相手先と当社の関係
東京応化工業4186
当社との関係
東京工業大学と東京応化工業株式会社の共同研究。
相手先東京工業大学
物質理工学院材料系の研究グループ。教授、准教授、助教、大学院生が記載されている。所在地・代表者・資本金・設立年は非開示。
拠点（この発表が示した場所）
300 mmシリコンウエハ上で今後評価予定（実施拠点の規模としては非開示）
この発表で、会社は契約金額・提供価格・業績への影響のいずれにも触れていません。
出典（会社が根拠として挙げた資料）
Nature Communications（2024年7月6日オンライン掲載）、論文『Chemically tailored block copolymers for highly reliable sub-10-nm patterns by directed self-assembly』、DOI: 10.1038/s41467-024-49839-0
| 項目 | 内容 |
|---|---|
| 対象製品・サービス名 | PS-b-(PGMAF-r-PMMA)（高分子ブロック共重合体） |
| 相手先 | 東京工業大学 |
| 相手先の概要 | 物質理工学院材料系の研究グループ。教授、准教授、助教、大学院生が記載されている。所在地・代表者・資本金・設立年は非開示。 |
| 当社との関係 | 東京工業大学と東京応化工業株式会社の共同研究。 |
| 適用分野 | 半導体微細加工、ボトムアップ型半導体微細加工、誘導自己組織化による回路パターン形成 |
| 拠点の規模 | 300 mmシリコンウエハ上で今後評価予定（実施拠点の規模としては非開示） |
| 定量的な効果 | 線幅7.6 nm相当、周期長15.1 nmの線状構造を形成。化学パターンのない薄膜では周期長12.3–18.6 nmの垂直ラメラ構造を形成。 |
| 出典 | Nature Communications（2024年7月6日オンライン掲載）、論文『Chemically tailored block copolymers for highly reliable sub-10-nm patterns by directed self-assembly』、DOI: 10.1038/s41467-024-49839-0 |
この書類が述べていない項目（10件）
契約金額提供価格契約締結日提供開始日受賞名・認証名授与・認証機関登録番号・有効期限拠点所在地利用実績業績への影響
会社がこの書類で述べていない項目です。空欄にしたり、他の資料や推測で補ったりはしません。
会社が挙げている理由
会社自身の説明です。数値から推測したものではありません。半導体回路パターンの微細化・高密度化を進め、電子デバイスの高性能化に貢献するため。
このページの読み方
これは書類そのものではありません会社が提出した開示をKomoriが読み、要約しています。数値は会社が述べたとおりで、監査を受けたものではありません。
重みは評価ではありません会社が市場に伝えていた内容をどれだけ変えるかを測ったものです。株式に対する見方ではありません。
訂正されることがあります会社が同じ開示を出し直した場合、このページは訂正後の内容から作り直され、訂正番号が繰り上がります。