# 半導体ウエハ研磨装置・露光光源技術の応用開発｜ヘリオス　テクノ　ホールディング（6927）の変遷

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## 経過

- FY2020 初出 「また、半導体ウエハの研磨工程に用いられる装置の開発や露光光源ユニットで培った技術の応用開発も合わせて多くの分野へ採用されるよう開発を進めております。」 — 半導体ウエハ研磨工程用装置の開発と、露光光源ユニットで培った技術の応用開発を新たな開発領域として初めて抽出した。 (https://komori.app/company/6927/filing/2019-fy)
- FY2021 前進 「また、露光光源ユニットを応用した装置の開発機、半導体ウエハー研磨工程で使用する装置の開発機の製作を進めるとともに、様々な分野へ採用される装置開発に取り組んでおります。」 — 露光光源ユニット応用装置と半導体ウエハー研磨装置について、開発機の製作を進める段階に進展した。 (https://komori.app/company/6927/filing/2020-fy)
- FY2025 前進 「こうした中、ＳｉＣウェハーの研磨装置の開発を進めており、今後も事業化に向け積極的に取り組んでまいります。」 — 従来の半導体ウエハ研磨装置の開発機製作から、SiCウェハー研磨装置の開発と事業化を目指す取り組みへ対象が具体化した。 (https://komori.app/company/6927/filing/2024-fy)
- 2026-05-12 前進 「当社グループにおいてもこのＳｉＣを用いた次世代パワー半導体向け製造装置の開発を進めております。この事業化に向けた取組みを加速してまいります。」 — 半導体ウエハ研磨装置等の応用開発について、SiCを用いた次世代パワー半導体向け製造装置へ対象が具体化し、事業化加速が示された。 (https://komori.app/company/6927/disclosure/20260511523591)
- FY2026 前進 「社会インフラから家電製品に至る幅広い分野で急速なデジタル化が進む中、省電力化の鍵を握るとされているパワー半導体において、従来のＳｉパワー半導体に比べ高効率化を実現するＳｉＣパワー半導体が実用化されております。このような状況において、ＳｉＣウェハー加工プロセス開発を進めており、事業化に向けた取組みを推進しております。」 — 半導体ウエハ研磨装置の開発テーマが、SiCパワー半導体向けのウェハー加工プロセス開発と事業化に向けた取り組みへ具体化された。 (https://komori.app/company/6927/filing/2025-fy)