# Transphorm社買収によるGaNパワー半導体の拡充｜ルネサスエレクトロニクス（6723）の変遷

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## 経過

- FY2023 初出 「本件買収により、当社はパワー半導体に用いられる重要な次世代素材であるGaNに対して、Transphorm社のGaN技術を自社技術として獲得し、ワイドバンドギャップのポートフォリオを拡充します。」 — 2024年1月11日にTransphorm社との合併契約を締結した。約3億39百万米ドルで全株式を取得し、2024年下半期中の完了を予定している。車載用規格に対応したGaN技術を活用し、EV向けX-in-1パワートレイン、コンピューティング、エネルギー、産業、民生向けのパワーソリューションを強化する。 (https://komori.app/company/6723/filing/2023-fy)
- FY2024-H1 達成 「当社は、完全子会社を通じて2024年６月20日に米国カリフォルニア州ゴレタに本社を置く半導体会社であるTransphorm社の株式すべての取得を完了し、Transphorm社を完全子会社化しました。」 — Transphorm社の全株式取得を2024年6月20日に完了し、完全子会社化した。GaN技術を獲得し、ワイドバンドギャップ製品ポートフォリオとEV、コンピューティング、エネルギー、産業、民生向けパワーソリューションの拡充を進める段階となった。 (https://komori.app/company/6723/filing/2024-h1)
- FY2025 前進 「当社グループは、本ソリューションの中核となる高耐圧650ボルトを実現するGaNパワー半導体を発売しました。同製品は、新プロセス「第４世代プラス（Gen IV Plus）」と、2024年に買収したTransphorm社のSuperGaN技術を採用することにより、従来世代よりダイサイズと電気抵抗を低減し、高い操作性と信頼性を実現しております。」 — Transphorm社買収によるGaN技術の獲得が、Gen IV PlusとSuperGaN技術を採用した650V GaNパワー半導体の発売およびAIインフラ・EV充電等向け電源ソリューションの提供段階へ進展した。 (https://komori.app/company/6723/filing/2025-fy)
- 2026-04-24 前進 「太陽光発電インバータ、AIデータセンターなどの用途向けに、ルネサス初の650V耐圧GaN双方向スイッチを発売」 — GaN製品の展開が、太陽光発電インバータやAIデータセンター向けの650V耐圧双方向スイッチの発売に進んだ。 (https://komori.app/company/6723/disclosure/20260423508871)