# 異種材料接合による縦型ＧａＮパワーデバイス技術の開発｜沖電気工業（6703）の変遷

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## 経過

- FY2024-Q2 初出 「信越化学工業株式会社が独自改良したＱＳＴ®基板（注１）からＯＫＩのＣＦＢ®技術（注２）を用いてＧａＮ（窒化ガリウム）機能層のみを剥離し、異種材料基板へ接合する技術を開発しました。本技術によりＧａＮの縦型導電が可能となり、大電流を制御できる縦型ＧａＮパワーデバイスの実現と社会実装への道が大きく開けました。」 — 既存の報告セグメントに含まれない将来事業の新規領域として、QST基板、CFB技術、GaN機能層の剥離・接合を組み合わせた縦型GaNパワーデバイス技術の開発を初めて記載した。 (https://komori.app/company/6703/filing/2023-q2)
- FY2024-Q3 再掲 「主な研究成果として、信越化学工業株式会社が独自改良したＱＳＴ®基板（注１）からＯＫＩのＣＦＢ®技術（注２）を用いてＧａＮ（窒化ガリウム）機能層のみを剥離し、異種材料基板へ接合する技術を開発しました。本技術によりＧａＮの縦型導電が可能となり、大電流を制御できる縦型ＧａＮパワーデバイスの実現と社会実装への道が大きく開けました。」 — 前四半期に記載した縦型ＧａＮパワーデバイス向けの異種材料基板接合技術と、その社会実装への展望を再掲した。 (https://komori.app/company/6703/filing/2023-q3)
- FY2024 前進 「今後は、ＧａＮデバイスを製造するお客様とのパートナーリングやライセンシングにより、社会実装可能な縦型ＧａＮパワーデバイスの開発を進めます。」 — 縦型GaNパワーデバイスについて、技術開発成果の再掲に加え、顧客とのパートナーリング・ライセンシングによる社会実装の進め方を示した。 (https://komori.app/company/6703/filing/2023-fy)
- FY2026 前進 「また、ＣＦＢ技術（※１）を用いたタイリングにより、300ｍｍシリコンウエハー上への光半導体の異種材料集積を可能とする技術を開発しました。これにより、光電融合技術の発展に寄与するとともに、将来の高性能・低消費電力デバイスの実現に向けた基盤を構築しました。」 — CFB技術を用いた300mmシリコンウエハー上への光半導体異種材料集積技術を開発し、光電融合・低消費電力デバイスに向けた技術段階を進めた。 (https://komori.app/company/6703/filing/2025-fy)
- 2026-07-30 前進 「CFB量産化に向けて、順調に進捗中」 — CFB技術について、量産立ち上げに向けた進捗を示した。 (https://komori.app/company/6703/disclosure/20260730503243)