# GaN-HEMT向けダイヤモンド常温接合による高出力化技術｜富士通（6702）の変遷

Source: Komori (komori.app) — https://komori.app/company/6702/threads/c7ff9d7a66e2
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## 経過

- FY2018-Q3 初出 「今回、GaN-HEMTパワーアンプを高効率に冷却するため、単結晶ダイヤモンドとSiC基板という熱膨張係数の異なる硬い材料同士を常温で接合する技術を開発しました。本技術を気象レーダーなどのシステムへ応用した場合、さらに高出力なGaN-HEMT送信用パワーアンプの実現につながり、レーダーの観測範囲を従来の約1.5倍に拡大でき、様々な防災面での安心・安全に貢献します。」 — 単結晶ダイヤモンドとSiC基板を常温接合してGaN-HEMTパワーアンプの排熱性能を高める技術を開発し、気象レーダーの観測範囲を従来の約1.5倍に拡大する可能性を示した。 (https://komori.app/company/6702/filing/2017-q3)
- FY2020 前進 「GaN HEMT（窒化ガリウム　高電子移動度トランジスタ）の表面に放熱性の高いダイヤモンド膜を形成する技術を開発しました。気象レーダーや無線通信などに使用されているトランジスタは高出力のため発熱量が増大します。今回、HEMTが破壊されない低温（650℃）でGaN HEMTの表面にダイヤモンド膜を形成し、動作時の発熱量の40％低減に成功しました。」 — GaN-HEMT向けダイヤモンド技術を、基板接合から表面膜形成へ発展させ、650℃で形成し動作時発熱量40％低減を達成した。 (https://komori.app/company/6702/filing/2019-fy)