# 縦型GaNパワーデバイスの開発｜富士電機（6504）の変遷

Source: Komori (komori.app) — https://komori.app/company/6504/threads/f97847d70682
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## 経過

- FY2025-H1 初出 「SiCよりさらに低損失な次世代半導体材料として期待されている窒化ガリウム（GaN）を用いた、縦型GaNパワーデバイスを開発しています。現在、デバイスの構造形成に必要なイオン注入技術の実用化やパワーデバイスの性能に大きく影響するMOS界面（金属-酸化物-半導体界面）における欠陥抑制の研究を進めています。」 — SiCより低損失な材料としてGaNに対象を広げ、縦型GaNパワーデバイスのイオン注入技術とMOS界面欠陥抑制を研究している。 (https://komori.app/company/6504/filing/2024-h1)
- FY2025 前進 「量産性に優れる「イオン注入プロセス」を用いたデバイスとして縦型GaNでは世界初の耐圧1,400V、電流10Aの大面積素子を実現しました。」 — 縦型GaNパワーデバイスで、イオン注入プロセスを用いた世界初の耐圧1,400V・電流10Aの大面積素子を実現した。 (https://komori.app/company/6504/filing/2024-fy)