# 次世代パワー半導体向けALD装置AL-1の開発・販売開始｜サムコ（6387）の変遷

Source: Komori (komori.app) — https://komori.app/company/6387/threads/0d57fb698c66
企業ページ: https://komori.app/company/6387

## 経過

- FY2016 初出 「平成27年12月、省エネルギー効果が大きく、グリーンエレクトロニクスの要として近年期待される炭化ケイ素（ＳｉＣ）や窒化ガリウム（ＧａＮ）などの次世代パワー半導体のゲート酸化膜形成用の原子層堆積（ＡＬＤ：Atomic Layer Deposition）装置を開発、販売を開始いたしました。ＡＬＤ装置「ＡＬ－１」では、GaN MOSFET、GaN MOSHFET及び4H-SiC MOSFETのゲート酸化膜に最適なピンホールフリーの緻密なアルミナ（AlOx）膜及びSiO2膜の形成が可能です。基板有効径はφ212mmでφ８インチウエハーまで対応しており、φ４インチウエハーの場合３枚の同時処理が可能です。」 — 次世代SiC・GaNパワー半導体向けALD装置を開発し、販売開始まで到達したことを初めて記載している。対応基板径と同時処理枚数も示している。 (https://komori.app/company/6387/filing/2015-fy)