# EUVレジスト高感度化に向けた下層膜材料の共同開発・実用化｜日本曹達（4041）の変遷

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## 経過

- 2026-11-13 初出 「日本曹達株式会社（本社：東京都千代田区／代表取締役社長：阿賀英司、以下「日本曹達」）と、学校法人関西大学（所在地：大阪府吹田市／学長：高橋智幸、以下「関西大学」）は、先端半導体の製造に用いられるEUV（極端紫外線）レジストの感度を高める、新たな下層膜材料を共同で開発しました。」 — EUVレジストの感度を高める下層膜材料を関西大学と共同開発し、初期評価で20％以上の増感効果を確認した。今後は材料の最適化、半導体製造プロセスへの適用可能性、量産性・品質安定性・供給体制を検討し、実用化を目指すとしている。 (https://komori.app/company/4041/disclosure/20261112577037)